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龙图腾网获悉中国科学院大连化学物理研究所申请的专利一种射频增强及会聚离子源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116153756B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111383330.X，技术领域涉及：H01J49/06；该发明授权一种射频增强及会聚离子源是由蒋吉春;花磊;李金旭;杨明;李海洋设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种射频增强及会聚离子源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于质谱的射频增强及会聚离子源，包括VUV光源、离子源腔体、辅助气体进样管、推斥电极、灯电极、样品进样管、增强反应区、离子会聚区以及离子引出电极。试剂离子产生方法决定试剂离子种类和纯净度，分子离子反应效率以及源内离子传输效率决定着化学电离源的检测灵敏度。为了进一步提升化学电离质谱的检测性能，本发明设计了一种射频增强及会聚离子源，通过VUV光源垂直照射产生试剂离子，便于试剂离子的选择且可消除光电子影响；另外引入射频增强反应区和射频离子会聚区以提升分子离子反应效率和离子传输效率。本发明可有效提升化学电离质谱的检测灵敏度和通用性，在大气环境监测，工业过程，医疗诊断等领域具有广阔的应用前景。

本发明授权一种射频增强及会聚离子源在权利要求书中公布了：1.一种射频增强及会聚离子源，包括VUV光源5、离子源腔体3、辅助气体进样管2、推斥电极4、灯头电极6、样品进样管8、增强反应区10、离子会聚区11以及离子引出电极16，其特征在于： 以向右为X方向、向上为Y方向； 所述离子源腔体3为一中空密闭腔室，离子源腔体3内部沿X方向从左到右依次设置有推斥电极4、灯头电极6、增强反应区10、离子会聚区11以及离子引出电极16；所述推斥电极4、灯头电极6以及离子引出电极16均为中部带有通孔的平板结构，它们均平行、中心孔同轴且间隔放置；离子引出电极16的中部通孔与离子源腔体3外部相连通；所述VUV光源5置于离子源腔体3上侧，VUV光源5的出光口位于离子源腔体3内，VUV光源5的侧壁面与离子源腔体3上侧壁面密闭连接；所述灯头电极6上侧设置有一圆柱状通孔，VUV光源5出射的真空紫外光7穿过灯头电极6上侧圆柱通孔进入灯头电极6内部； 一空心圆管状辅助气体进样管2于离子源腔体3左侧外部穿过离子源腔体3左端壁面进入离子源腔体3内部，辅助气体进样管2和推斥电极4中部通孔同轴且辅助气体进样管2右侧出口伸入至推斥电极4中部通孔内部，辅助气体进样管2外侧壁面与离子源腔体3左端壁面密封； 一空心圆管状样品进样管8于离子源腔体3下侧外部穿过离子源腔体3下端壁面进入离子源腔体3内部，样品进样管8上侧出口伸入至灯头电极6和增强反应区10之间，样品进样管8外侧壁面与离子源腔体3下端壁面密封； 于离子源腔体3内设有增强反应区10，增强反应区10设置于灯头电极6和离子会聚区11之间；增强反应区10由4片及以上偶数个传输电极12组成，极片数量为偶数；每片传输电极12均为中部带有通孔的平板结构，4片以上传输电极12平行、中部通孔同轴且间隔放置；传输电极12之间连接阻值为R的等阻值电阻，每个传输电极12各自分别与容值为C的等容值电容一端相连；沿X方向，奇数位传输电极12连接的电容另一端的串连成射频端口一，偶数位传输电极12连接的电容的另一端串连成射频端口二，在射频端口一和射频端口二分别施加幅值相同相位相差180°的射频电压Vrf； 于离子源腔体3内设有离子会聚区11，离子会聚区11设置于增强反应区10和离子引出电极16之间；离子会聚区11由3片及以上会聚电极13组成；每片会聚电极13由4个完全相同的扇形平板电极15组成，所述扇形平板电极15由中部带通孔的圆形板状电极或圆环状电极从圆心以90度圆心角进行四等分切割而成；每片会聚电极13中的4个扇形平板电极15按照切割之前的位置沿圆周方向依次间隔分布，共处于同一平面上，成中心对称；各片会聚电极13几何中心同轴，等间距平行间隔放置，且每片会聚电极13的4个扇形平板电极15组成的内圆直径沿X方向逐渐减小； 各片会聚电极13上的4个扇形平板电极15一一沿X轴方向对应设置，且对应的扇形平板电极在YZ平面垂直X轴的平面的投影部分重合，会聚电极13于YZ平面上形成四个相互间隔的、中心对称的投影区，各扇形平板电极15各自分别与容值为C的等容值电容一端相连；将扇形平板电极15与其在YZ平面的投影重合的其他扇形平板电极15的组合称为电极列，离子会聚区11共有4个电极列，每个电极列中的扇形平板电极15连接的电容的另外一端串连成一处，并与射频电源相连；相邻的电极列施加幅值相同相位相差180°的射频电压Urf，相对的电极列施加相同的射频电压；每个电极列中的扇形平板电极15之间连接阻值为R的等阻值电阻。

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