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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116151167B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310140503.8，技术领域涉及：G06F30/36；该发明授权一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型是由向念文;倪征澳;李科杰;田鹏坤;谭永旭;柯一帆;秦呈呈;李兆坤;吴烨欣;王冬伟;李龙龙;孙典;雷佳华;苑乾坤;魏定生;王凌峰;张永纯;杜雨晨;杨翠玲;杨纯设计研发完成，并于2023-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型在说明书摘要公布了：本发明提出了一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型，属于半导体器件技术领域。所述等效电路模型的拓扑结构包含寄生电阻、寄生电感、二极管D、压控开关、扩散电容、势垒电容、寄生电容和电压控制端口。所述二极管D通过最大反向直流电压、击穿电压、渡越时间和梯度系数来表征所述漂移阶跃恢复二极管的多层P—N结构，所述势垒电容、扩散电容、压控开关及电压控制端口用于表征所述漂移阶跃恢复二极管在开关过程中的电容特性，同时还考虑了漂移阶跃恢复二极管的各种寄生参数，使得模型能更准确地反映漂移阶跃恢复二极管的动态电特性，极大提高了漂移阶跃恢复二极管脉冲源设计的便利性和准确性。

本发明授权一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型在权利要求书中公布了：1.一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型，其特征在于，所述等效电路模型的拓扑结构包含寄生电阻Rs、寄生电感Ls、二极管D、压控开关S、扩散电容Cd、势垒电容Cj、寄生电容Cp和电压控制端口N； 将所述寄生电阻Rs的两端分别记为寄生电阻Rs的第一端和第二端，将扩散电容Cd的两端分别记为扩散电容Cd的第一端和第二端，寄生电阻Rs的第二端与寄生电感Ls串联后接二极管D的阳极，压控开关S的一端接二极管D的阴极，另一端接扩散电容Cd的第一端，势垒电容Cj的一端与扩散电容Cd的第二端相接、另一端与二极管D的阴极相接，寄生电容Cp的一端与扩散电容Cd的第二端相接、另一端相接寄生电阻Rs的第一端；所述电压控制端口N的阳极接二极管D的阴极，电压控制端口N的阴极接扩散电容Cd的第二端； 所述寄生电阻Rs的第一端构成漂移阶跃恢复二极管等效电路模型的阳极，所述扩散电容Cd的第二端构成漂移阶跃恢复二极管等效电路模型的阴极。

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