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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种湿度传感器芯片的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116148316B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111384311.9，技术领域涉及：G01N27/04；该发明授权一种湿度传感器芯片的制造方法是由宋长青;王敬时;邵海宝;王志亮;刘岩;尹海宏;豆飞娟;周翔宇;赵晨媛设计研发完成，并于2021-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种湿度传感器芯片的制造方法在说明书摘要公布了：一种湿度传感器芯片的制造方法，其目的在于：实现宽湿度测量范围，并且大幅度降低制造工艺复杂性和制造成本。其实现的技术方案为，采用电阻型湿度敏感材料来实现湿度传感器的制造，湿度敏感材料沉积在衬底上，衬底具有叉指电极。从衬底的第一边缘到第二边缘的方向上，沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐升高，湿度敏感材料组分发生连续的变化。所选择出的第一湿度敏感材料和第二湿度敏感材料具有不同的湿度敏感特性曲线，具备不同的最佳感湿范围。两种湿度敏感材料的最佳感湿范围差别越大，本发明所得到的最终湿度传感器的湿度测量范围越宽。

本发明授权一种湿度传感器芯片的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种湿度传感器芯片的制造方法，其特征在于：所述湿度传感器芯片包括矩形衬底，所述矩形衬底具有相对设置的第一边缘和第二边缘、相对设置的第三边缘和第四边缘，所述湿度传感器芯片的制造方法包括如下步骤： A．在矩形衬底上制备一对叉指电极； B．在步骤A所得到的附着有一对叉指电极的矩形衬底上制备湿度敏感材料，具体实现如下： B-a．采用雾化喷头从第一边缘的上方，斜向下指向矩形衬底的第二边缘，向矩形衬底脉冲式雾化喷射第一湿度敏感材料，含有第一湿度敏感材料的气雾存在浓度梯度，使得从第一边缘到第二边缘的方向上，衬底上沉积的第一湿度敏感材料的分布密度逐渐降低； B-b．采用雾化喷头从第二边缘的上方，斜向下指向矩形衬底的第一边缘，向矩形衬底脉冲式雾化喷射第二湿度敏感材料，含有第二湿度敏感材料的气雾存在浓度梯度，使得从第二边缘到第一边缘的方向上，衬底上沉积的第二湿度敏感材料的分布密度逐渐降低；步骤B-a、B-b交替进行，重复次数根据需要而定； C．烘干、固化湿度敏感材料； D．焊接电极引出线，完成湿度传感器芯片的制造； 所述矩形衬底上附着有电极和湿度敏感材料，在步骤A中，叉指电极的叉指线条位于衬底的第三边缘和第四边缘之间，与衬底的第三边缘和第四边缘平行，一对叉指电极的两个引出线条与衬底的第一边缘和第二边缘平行，并分别靠近于衬底的第一边缘和第二边缘，两个引出线条分别设置有引出焊盘；所述第一湿度敏感材料与所述第二湿度敏感材料具有不同的表面电阻率—湿度特征曲线，使得所述第一湿度敏感材料与所述第二湿度敏感材料具有不同的最佳感湿灵敏度。

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