长鑫存储技术有限公司李泽亚获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的形成方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116113232B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111312213.4，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构是由李泽亚设计研发完成，并于2021-11-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构的形成方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构，半导体结构的形成方法包括，提供基底，基底包括有源阵列，有源阵列包括多行交错间隔设置的有源区，每个有源区包括第一端、第二端和中间部，同一行的有源区的第一端和第二端沿第一方向交替排列；对有源区的中间部进行第一次蚀刻，在有源区的中间部形成接触孔。在本公开中，对有源区的中间部进行第一次蚀刻形成接触孔，避免有源区的两端被刻蚀损伤，保证了有源区两端的结构完整，提高了半导体结构的良品率。
本发明授权半导体结构的形成方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于， 所述方法包括： 提供基底，所述基底包括有源阵列，所述有源阵列包括多行交错间隔设置的有源区，每个所述有源区包括第一端、第二端和中间部，同一行的所述有源区的第一端和第二端沿第一方向交替排列； 对所述有源区的中间部进行第一次蚀刻，在所述有源区的中间部形成接触孔； 在所述接触孔中沉积第一材料层形成接触结构； 在所述接触孔中沉积第一材料层形成接触结构，包括： 沉积所述第一材料填充所述接触孔，在所述第一材料中形成有填充空隙，回刻部分所述第一材料层，暴露出所述填充空隙并刻蚀所述填充空隙在所述第一材料中形成U型或V型槽，再次沉积所述第一材料填充U型或V型槽。
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