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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利太阳能电池及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116110996B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211337692.X，技术领域涉及：H10F10/166；该发明授权太阳能电池及其制备方法是由李宏伟;孟子博;霍亭亭;杨广涛;张学玲;陈达明设计研发完成，并于2022-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种太阳能电池及其制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明的太阳能电池包括具有第一极性或第二极性的硅基底，硅基底包括相对的第一侧和第二侧；设于硅基底第一侧的第一钝化结构，第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；第一钝化结构所在位置为第一电极区；设于第一钝化结构远离硅基底一侧的第二钝化结构，第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；第二钝化结构所在位置为第二电极区，第二电极区与第一电极区无重叠，第二钝化结构的工艺温度低于第一钝化结构的工艺温度；设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极。

本发明授权太阳能电池及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 具有第一极性或第二极性的硅基底，所述硅基底包括相对的第一侧和第二侧；所述第一极性用于传输电子和空穴中的一者，所述第二极性用于传输电子和空穴中的另一者； 设于所述硅基底第一侧的第一钝化结构，所述第一钝化结构中最远离硅基底的部分具有第一极性；所述第一钝化结构所在位置为第一电极区； 设于所述第一钝化结构远离硅基底一侧的第二钝化结构，所述第二钝化结构中最远离硅基底的部分具有第二极性；所述第二钝化结构所在位置为第二电极区，所述第二电极区与第一电极区无重叠，所述第二钝化结构的工艺温度低于所述第一钝化结构的工艺温度； 设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第一电极区的第一电极，设于所述第二钝化结构远离硅基底一侧且位于第二电极区的第二电极； 其中，位于与所述硅基底的极性相同的钝化结构上的电极为基极，而位于与所述硅基底的极性相反的钝化结构上的电极为发射极； 所述第一钝化结构形成于所述第二钝化结构之前； 在对所述第一钝化结构图案化时，还包括：使所述硅基底的所述第二电极区的表面和所述硅基底的第二侧形成绒面； 所述第二钝化结构包括介质钝化子层和设于所述介质钝化子层远离所述硅基底一侧的第二钝化子层，所述第二钝化子层具有第二极性；用氧元素、碳元素和氮元素对所述第二钝化子层进行掺杂，以拓宽所述第二钝化子层的带隙。

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