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龙图腾网获悉日产化学株式会社申请的专利药液耐性保护膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116057103B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180061886.9，技术领域涉及：C08G59/40；该发明授权药液耐性保护膜是由西田登喜雄;远藤勇树设计研发完成，并于2021-09-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本药液耐性保护膜在说明书摘要公布了：提供在半导体基板加工时具有针对湿蚀刻液的良好的掩模保护功能、低干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性和埋入性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜的保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、抗蚀剂下层膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：A具有下述式1‑1所示的单元结构的聚合物：在式1‑1中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、或可以被醚键、酯键或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键；B除儿茶酚以外的具有酚性羟基的化合物或聚合物；C热产酸剂；以及D溶剂。

本发明授权药液耐性保护膜在权利要求书中公布了：1.一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含： A具有下述式1-1所示的单元结构的聚合物， 在式1-1中，Ar表示苯环、萘环或蒽环，R1表示羟基、可以被甲基保护的巯基、可以被甲基保护的氨基、卤代基、或可以被杂原子取代或中断且可以被羟基取代的碳原子数1～10的烷基，n1表示0～3的整数，n2为1或2，L1表示单键或碳原子数1～10的亚烷基，E表示环氧基，T1在n2＝1时表示单键、或可以被醚键、酯键或酰胺键中断的碳原子数1～10的亚烷基，T1在n2＝2时表示氮原子或酰胺键； B除儿茶酚以外的具有酚性羟基的化合物或聚合物； C热产酸剂；以及 D溶剂， 其中，B化合物或聚合物的重均分子量为300～50,000，并且为下述式2-1所示的化合物或者下述式2-2所示的化合物或者为包含下述式3-1所示的单元结构的聚合物， 式中，R2和T2各自独立地表示卤代基、羧基、硝基、氰基、亚甲基二氧基、乙酰氧基、甲硫基、碳原子数1～9的烷氧基、可以被碳原子数1～3的烷基取代的氨基、羟基或可以被卤代基取代的碳原子数1～10的烷基；A1和A2各自独立地为碳原子数1～10的亚烷基、来源于二环化合物的2价有机基、亚联苯基或-CT2T3-所示的2价有机基或它们的组合，T3表示氢原子或式2-1-a所示的1价基， 式2-1-a中的＊表示与T3所结合的碳原子的结合部位；a表示1～6的整数； n3～n5各自独立地表示0～2的整数；r2表示0～3的整数；m1和m2各自独立地表示0～10,000,000的数， 式中，R3表示卤代基、羧基、硝基、氰基、亚甲基二氧基、乙酰氧基、甲硫基、碳原子数1～9的烷氧基、可以被碳原子数1～3的烷基取代的氨基、羟基或可以被卤代基取代的碳原子数1～10的烷基；Q1表示单键、氧原子、硫原子、磺酰基、羰基、亚氨基、碳原子数6～40的亚芳基、可以被卤代基取代的碳原子数1～10的亚烷基；a表示1～6的整数；n6表示0～2的整数；r3表示0～3的整数， 式中，T4表示可以被卤代基取代的碳原子数1～10的烷基；R4表示卤代基、羧基、硝基、氰基、亚甲基二氧基、乙酰氧基、甲硫基、碳原子数1～9的烷氧基、可以被碳原子数1～3的烷基取代的氨基、羟基或可以被卤代基取代的碳原子数1～10的烷基；r4表示0～3的整数；n7表示0～2的整数；a表示1～6的整数。

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