联华电子股份有限公司熊昌铂获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116053323B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111260667.1,技术领域涉及:H10D30/60;该发明授权半导体元件及其制作方法是由熊昌铂;杨庆忠设计研发完成,并于2021-10-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了:本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该半导体元件包括一基底,一主动区位于该基底上、一凹陷区域位于该主动区中、一栅极介电层位于该凹陷区域上,其中该栅极介电层的一边缘部分具有一圆化轮廓、一栅极结构位于该栅极介电层上,以及一源漏区位于该栅极结构一侧的该主动区中,并且与该栅极介电层的该边缘部分直接接触。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体元件,包括: 基底,主动区位于该基底上; 凹陷区域,位于该主动区中; 栅极介电层,位于该凹陷区域上,其中该栅极介电层的边缘部分具有圆化轮廓; 栅极结构,位于该栅极介电层上,其中在该半导体元件的平面结构中,该主动区与该栅极结构的重叠区域小于该凹陷区域且与该凹陷区域完全重叠;以及 源漏区,位于该栅极结构一侧的该主动区中,并且与该栅极介电层的该边缘部分直接接触。
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