联华电子股份有限公司柯贤文获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体元件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116033820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111245898.5，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权半导体元件及其制作方法是由柯贤文;蔡纬撰;易延才;邱劲砚设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体元件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，其中该制作半导体元件的方法主要包含先形成一金属间介电层于一基底上，然后形成一凹槽于该金属间介电层内，形成一阻障层于该凹槽内，形成一核晶层于该阻障层上，进行一退火制作工艺以形成一硅化金属层，形成一主体层于该硅化金属层上，再形成一磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于该主体层上。
本发明授权半导体元件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含： 形成金属间介电层于基底上； 形成凹槽于该金属间介电层内； 形成阻障层于该凹槽内； 利用化学气相沉积制作工艺形成核晶层于该阻障层上； 进行退火制作工艺以将该核晶层直接接触该阻障层的部分结晶化形成硅化金属层； 形成主体层于该硅化金属层上；以及 形成磁性隧穿结magnetictunnelingjunction,MTJ于该主体层上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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