上海鼎泰匠芯科技有限公司吴健获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉上海鼎泰匠芯科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116013977B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211709862.2，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权半导体器件及其制造方法是由吴健设计研发完成，并于2022-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，一种半导体器件，包括：衬底；埋层，设于衬底内；第一阱区，设于埋层的上表层；第二阱区，设于埋层的上表层且部分区域与衬底接触，第二阱区位于第一阱区的外围；多个发射极引出区和基极引出区，设于第一阱区的上表层内且两两之间间隔设置；栅极结构，设于衬底的上表面上，且包括栅极，栅极在第一阱区上的正投影与发射极引出区呈交错布设；集电极引出区，形成于第二阱区的上表层内；其中，多个发射极引出区并联连接，以引出发射极；栅极与集电极引出区并联连接，以引出集电极。可以通过改变集电极的输入电压，进而控制半导体器件的增益电流和发射极引出区的有效掺杂浓度。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 衬底，具有第一导电类型； 埋层，设于所述衬底内，且具有第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 第一阱区，设于所述埋层的上表层，且具有所述第一导电类型； 第二阱区，设于所述埋层的上表层且部分区域与所述衬底接触，所述第二阱区位于所述第一阱区的外围，且具有所述第二导电类型； 多个发射极引出区和基极引出区，设于所述第一阱区的上表层内且两两之间间隔设置；所述基极引出区具有所述第一导电类型，所述发射极引出区具有所述第二导电类型； 栅极结构，设于所述衬底的上表面上，且包括栅极，所述栅极在所述第一阱区上的正投影与所述发射极引出区呈交错布设； 集电极引出区，形成于所述第二阱区的上表层内，且具有所述第二导电类型； 其中，多个所述发射极引出区并联连接，以引出发射极； 所述栅极与所述集电极引出区并联连接，以引出集电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海鼎泰匠芯科技有限公司，其通讯地址为：200135 上海市浦东新区自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄13号5层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励