北京理工大学杨盛谊获国家专利权
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龙图腾网获悉北京理工大学申请的专利一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115996582B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310168443.0，技术领域涉及：H10K30/30；该发明授权一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器是由杨盛谊;张珍衡设计研发完成，并于2023-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种二价锡II基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器，属于无毒无机钙钛矿材料、光电探测器材料和器件技术领域。所述混合体异质结薄膜由稳定性优良的FA1‑xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和PVK混合而成，x的取值范围为0.05～0.2，FA1‑xCsxSnBr3和PVK的摩尔比为200:1～600:1。通过锡基钙钛矿材料FA1‑xCsxSnBr3与PVK混合，并通过优化其掺杂的摩尔比，最终得到了有利于光生载流子产生和传输的体异质结薄膜。PVK的引入不仅可以有效钝化FA1‑xCsxSnBr3薄膜表面的缺陷，还可进一步阻止水和氧气对锡II基钙钛矿FA1‑xCsxSnBr3的侵蚀。将本发明所述的混合体异质结薄膜作为锡基钙钛矿光电探测器的有源层制备的光电探测器具有优异的性能。
本发明授权一种锡(II)基钙钛矿混合体异质结薄膜、制备方法及光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种二价锡II基钙钛矿混合体异质结薄膜，其特征在于：所述混合体异质结薄膜由高稳定性的FA1-xCsxSnBr3锡基钙钛矿材料和PVK混合而成，x的取值范围为0.05~0.2，FA1-xCsxSnBr3和PVK的摩尔比为200:1~600:1。
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