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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种有源钳位反激变换器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115967279B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310123034.9，技术领域涉及：H02M3/335；该发明授权一种有源钳位反激变换器是由明鑫;余寅实;孙天一;黄江涛;王卓;张波设计研发完成，并于2023-02-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种有源钳位反激变换器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种有源钳位反激变换器，该有源钳位反激变换器包括：第一电容；第二电容和第一电阻；第一开关管、第二开关管和第二电阻；变压器，该变压器包括漏感、原边绕组、副边绕组、辅助绕组；第一二极管和第四电容；第二二极管和第三电容；第一耗尽型NMOS管和第三电阻；控制电路，该控制电路包括驱动模块和高压上电模块，高压上电模块在芯片启动过程中该模块控制第一耗尽型NMOS管的栅端，从高电压的开关节点获取能量，对控制电路的电源轨充电。高压上电模块在控制电路上电过程中自限充电电流实现安全上电，在控制电路完成上电后关闭充电电路，减小了有源钳位反激变换器的静态电流以优化效率。

本发明授权一种有源钳位反激变换器在权利要求书中公布了：1.一种有源钳位反激变换器，其特征在于，包括变压器、第一开关管、第二开关管、第一高压耗尽型NMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一二极管、第二二极管、漏感和控制电路； 所述变压器具有原边绕组、副边绕组和辅助绕组，其中原边绕组的同名端通过漏感后接母线电压； 第一开关管的漏极通过第一电阻和第二电容并联构成的电路后接母线电压，第一开关管的栅极和源极接控制电路，第一开关管的源极还接第二开关管的漏极、第一高压耗尽型NMOS管的漏极、原边绕组的异名端； 第二开关管的栅极和源极接控制电路，第二开关管的源极还通过第二电阻后接地； 第一高压耗尽型NMOS管的栅极和源极接控制电路，第三电阻的一端接第一高压耗尽型NMOS管的栅极，第三电阻的另一端接第一高压耗尽型NMOS管的源极； 辅助绕组的异名端接第二二极管的阳极，第二二极管的阴极接控制电路和第三电容的一端，辅助绕组的同名端和第三电容的另一端接地； 副边绕组的异名端接第一二极管的阳极，第一二极管的阴极接第四电容的一端，副边绕组的同名端和第四电容的另一端接地； 所述控制电路包括驱动模块和高压上电模块；其中驱动模块连接一开关管的栅极和源极和第二开关管的栅极和源极； 所述高压上电模块包括第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第十一电阻、第十二电阻、第十三电阻、第十四电阻、第十五电阻、第十六电阻、第一高压PMOS管、第二高压PMOS管、第三高压PMOS管、第四高压PMOS管、第五高压PMOS管、第二高压NMOS管、第三高压NMOS管、第四高压NMOS管、第五高压NMOS管、第一低压NMOS管、第二低压NMOS管、第一基准模块、第一比较器模块、第一运算放大器模块、第三齐纳二极管、第四齐纳二极管、第五齐纳二极管、第六齐纳二极管和第七齐纳二极管； 其中，原边绕组的异名端接第四电阻的一端和第八电阻的一端；第四电阻的另一端接第五电阻的一端和第三高压PMOS管的源极；第八电阻的另一端接第二高压NMOS管的栅极、第六齐纳二极管的阴极、第一低压NMOS管的漏极和第五高压NMOS管的栅极；第一低压NMOS管的源极和第六齐纳二极管的阳极接地； 第一低压NMOS管的栅极接第一比较器模块的输出端；第一比较器模块的正输入端接第十三电阻的一端和第十四电阻的一端，第一比较器模块的负输入端接第一基准模块输出的基准电压； 第五电阻的另一端接第一高压PMOS管的源极，第一高压PMOS管的栅极接第六电阻的一端、第七电阻的一端、第三齐纳二极管的阳极和第二高压PMOS管的栅极，第一高压PMOS管的漏极接第六电阻的另一端、第三齐纳二极管的阴极和第二高压PMOS管的源极； 第七电阻的另一端接第二高压NMOS管的漏极，第二高压NMOS管的源极接地； 第三高压PMOS管的栅极接第九电阻的一端、第十电阻的一端、第四齐纳二极管的阳极和第四高压PMOS管的栅极，第三高压PMOS管的漏极接第九电阻的另一端、第四齐纳二极管的阴极和第四高压PMOS管的源极； 第十电阻的另一端接第四高压NMOS管的漏极，第四高压NMOS管的栅极接第十六电阻的一端和第二低压NMOS管的漏极，第四高压NMOS管的源极接地； 第二高压PMOS管的漏极接第四高压PMOS管的漏极、第五高压PMOS管的源极、第五齐纳二极管的阴极、第十三电阻的另一端、第十五电阻的一端、第三高压NMOS管的漏极和第二二极管的阴极； 第五齐纳二极管的阳极接第一运算放大器模块的输出端、第五高压PMOS管的栅极和第五高压NMOS管的漏极；第一运算放大器模块的负输入端接第一基准模块输出的基准电压，第一运算放大器的正输入端接第十一电阻的一端和第十二电阻的一端；第五高压PMOS管的漏极接第十电阻的另一端和第一高压耗尽型NMOS管的栅极；第五高压NMOS管的源极和第十二电阻的另一端接地； 第十四电阻的另一端接地；第十五电阻的另一端接第三高压NMOS管的栅极和第七齐纳二极管的阴极，第七齐纳二极管的阳极接地；第三高压NMOS管的源极接第十六电阻的一端；第十六电阻的另一端接第二低压NMOS管的漏极，第二低压NMOS管的栅极接第一比较器的输出端。

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