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龙图腾网获悉佳能株式会社申请的专利电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115933336B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210938543.2，技术领域涉及：G03G5/047；该发明授权电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备是由渡口要;牧角康平;加来贤一;辻晴之设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备在说明书摘要公布了：本发明涉及电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备。提供一种电子照相感光构件，其包括支承体、支承体上的电荷产生层和电荷产生层上的电荷输送层并且满足对基于NESA‑EV曲线的测量方法的EV曲线的规定。电子照相感光构件可以在高速处理中维持模拟灰度性的同时表现出低线数半色调下的高字符质量和数字灰度性。

本发明授权电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备在权利要求书中公布了：1.一种电子照相感光构件，其包括： 支承体； 在所述支承体上的底涂层； 在所述底涂层上的电荷产生层；和 在所述电荷产生层上的电荷输送层，其特征在于 所述电子照相感光构件为有机感光构件， 所述底涂层包含表面进行了硅烷处理并且其晶体结构为金红石型或锐钛矿型的氧化钛颗粒， 所述电荷产生层包含在CuKα特性X射线衍射中在布拉格角2θ为27.2°±0.3°处具有强峰的氧钛酞菁颜料，并且 满足I12≤0.170μJcm2、AR≤0.370和LRi≤780V·cm2μJ，其中，在充电电位Vd为Vd=500V的情况下、在23.5°C的温度和50%RH的相对湿度下根据NESA-EV曲线的测量方法获得并且其中横轴表示照射曝光量Iexp且纵轴表示照射后的表面电位的绝对值Vexp的Iexp-Vexp图中， 所述图中Vexp=250V时的光量由I12表示， 所述图中在Iexp=0.000~3.414·I12的范围内Iexp与Vexp的乘积S=Iexp·Vexp的最大值由Smax表示， 所述图中在Iexp=0.000~0.100·I12的范围内的近似直线与在Iexp=5·I12-0.100~5·I12的范围内的近似直线的交点由Q表示，点Q处的光量值由Ii表示，点Q处的电位值由Vi表示，并且Ii与Vi的乘积由Si=Ii·Vi表示， Si与Smax之比由AR=SiSmax表示，并且 通过将Vi除以Ii获得的值由LRi=ViIi表示，并且 如下进行所述NESA-EV曲线的测量方法： 1：将所述电子照相感光构件的表面电位设定为0V， 2：将所述电子照相感光构件充电0.005秒以使所述电子照相感光构件的表面电位的绝对值变为V0， 3：在开始充电0.02秒之后，使带电后的电子照相感光构件连续暴露于波长为805nm且强度为25mWcm2的光t秒以使曝光量变为Iexp， 4：在开始充电0.06秒之后，测量曝光后的电子照相感光构件的表面电位的绝对值并且测量值由Vexp表示， 5：在通过改变t以0.001μJcm2的间隔将Iexp从0.000μJcm2改变为0.850μJcm2的同时重复操作1至4，以获得对应于Iexp的各值的Vexp，并且 6：在3的操作中设定t=0且Iexp=0.000μJcm2的情况下的Vexp称为充电电位Vd，并且设定在进行2的操作的情况下的V0以使Vd的值变为500V， 其中Vd、Vexp、Vi、V0的单位为V，Iexp、I12、Ii的单位为μJcm2，S、Si、Smax的单位为V·μJcm2，LRi的单位为V·cm2μJ。

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