东京毅力科创株式会社户村幕树获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利蚀刻方法和蚀刻装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115885368B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180051117.0，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权蚀刻方法和蚀刻装置是由户村幕树;须田隆太郎;福井信志设计研发完成，并于2021-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻方法和蚀刻装置在说明书摘要公布了：蚀刻方法包括工序a、工序b、工序c以及工序d。在工序a中，向载置台上提供具有基底层和形成于基底层上的蚀刻对象膜的基板。在工序b中，从处理气体生成等离子体。在工序c中，通过向载置台供给具有第一频率的偏压电力对蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部。在工序d中，根据工序c后的凹部的深宽比，将偏压电力的频率变更为与第一频率不同的第二频率，来进一步对蚀刻对象膜进行蚀刻。在蚀刻方法中，在生成等离子体后到基底层露出为止的期间，连续地对蚀刻对象膜进行蚀刻。
本发明授权蚀刻方法和蚀刻装置在权利要求书中公布了：1.一种蚀刻方法，其特征在于，包括以下工序： 工序a，向载置台上提供具有基底层和形成于所述基底层上的蚀刻对象膜的基板； 工序b，从处理气体生成等离子体； 工序c，通过向所述载置台供给具有第一频率的偏压电力对所述蚀刻对象膜进行蚀刻，来形成凹部；以及 工序d，根据所述工序c后的所述凹部的深宽比，将所述偏压电力的频率变更为与所述第一频率不同的第二频率，来进一步对所述蚀刻对象膜进行蚀刻， 在所述蚀刻方法中，在生成所述等离子体后到所述基底层露出为止的期间，连续地对所述蚀刻对象膜进行蚀刻， 基于与所述第一频率相对应的凹部的形状来选择所述第二频率，与所述第一频率相对应的凹部的形状是参照表示按所述偏压电力的每个频率将所述蚀刻对象膜蚀刻到所述基底层露出为止的情况下所形成的凹部的形状的数据来确定的。
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