格科微电子(上海)有限公司陈林获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(上海)有限公司申请的专利图像传感器及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115810639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111067352.5，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权图像传感器及其形成方法是由陈林;付文;许乐;郑展设计研发完成，并于2021-09-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本图像传感器及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其形成方法，该方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面；自半导体衬底正面对半导体衬底进行离子注入，分别形成第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和第三离子掺杂区共同形成图像传感器的感光单元；所述第二离子掺杂区位于所述第一离子掺杂区下方；所述第三离子掺杂区至少部分包围所述第一离子掺杂区。本发明的技术方案通过磷和砷共同对半导体衬底进行N型离子注入，可以减少磷扩散到底部导致底部面上钉扎不足引起的WP增加；既保证了FWC不会降低，又避免侧面隔离区钉扎不足引起WP增加；同时没有完全用砷去替代磷，热预算较少，注入的离子容易激活，注入过程的损伤容易修复。
本发明授权图像传感器及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括： 提供半导体衬底，半导体衬底具有正面和背面； 自半导体衬底正面对半导体衬底进行离子注入，分别形成第一离子掺杂区、第二离子掺杂区和第三离子掺杂区共同形成图像传感器的感光单元； 所述第二离子掺杂区位于所述第一离子掺杂区下方； 所述第三离子掺杂区至少部分包围所述第一离子掺杂区； 其中，所述第三离子掺杂区的深度，根据半导体衬底的背面深沟槽隔离的深度进行调整，和或所述第一离子掺杂区的深度超过半导体衬底的背面深沟槽隔离的底部。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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