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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路制造有限公司申请的专利一种晶圆键合方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799116B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211547314.4，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种晶圆键合方法及系统是由宋胜金;叶国梁;胡胜设计研发完成，并于2022-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆键合方法及系统在说明书摘要公布了：本申请公开了一种晶圆键合方法及系统，该晶圆键合方法包括：将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，第一键合基体有第一键合表面，第二键合基体有第二键合表面，第一键合表面和第二键合表面相对设置；将第一键合基体与第二键合基体在第一方向上对位后，获得第一键合基体和或第二键合基体在与第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息；基于第一位置信息调整第一键合基体和或第二键合基体在第二方向上的位置，使得第一键合基体与第二键合基体在第二方向上的距离为预设值；使第一键合基体与第二键合基体键合。通过上述方式，可以利用现有的数据获取组件，稳定键合前两个键合表面之间的距离，提高键合质量。

本发明授权一种晶圆键合方法及系统在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合方法，其特征在于，包括： 将第一键合基体设置于第一承载件上，将第二键合基体设置于第二承载件上，所述第一键合基体具有第一键合表面，所述第二键合基体具有第二键合表面，且所述第一键合表面和所述第二键合表面相对设置； 将所述第一键合基体与所述第二键合基体在第一方向上对位后，获得所述第一键合基体和或所述第二键合基体在与所述第一方向垂直的第二方向上的第一位置信息； 基于所述第一位置信息调整所述第一键合基体和或所述第二键合基体在所述第二方向上的位置，以使得所述第一键合基体与所述第二键合基体在所述第二方向上的距离为预设值； 使所述第一键合基体与所述第二键合基体键合； 所述第一位置信息包括所述第一键合表面的第一相对距离差值和或所述第二键合表面的第二相对距离差值； 其中，所述第一相对距离差值为所述第二方向上所述第一键合表面与所述第二承载件之间的第一相对距离与第一初始相对距离的差值；所述第二相对距离差值为所述第二方向上所述第二键合表面与所述第一承载件之间的第二相对距离与第二初始相对距离的差值；所述第一初始相对距离为所述第一键合表面与所述第二键合表面在所述第二方向上的距离为所述预设值时所述第一键合基体的所述第一键合表面与所述第二承载件的第一相对距离；所述第二初始相对距离为所述第一键合表面与所述第二键合表面在所述第二方向上的距离为所述预设值时所述第二键合基体的所述第二键合表面与所述第一承载件的第二相对距离。

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