天津大学任群获国家专利权
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龙图腾网获悉天津大学申请的专利面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115798639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174943.7，技术领域涉及：G16C60/00；该发明授权面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法是由任群;王秀宇;王小曼;封丰;辛继红;游检卫;沙威设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法，对于打破对称性实现直接激发连续域束缚态的情况，确定影响非线性响应的物理参量包括对称性破缺程度、入射偏振状态和材料电导率；基于上述物理参量，在高阻硅衬底上，设置对称且带有破损段的金属结构，得到能够产生若干个通带的非线性电磁超构表面；基于上述非线性电磁超构表面，采用温敏材料将金属结构的破损段补全，得到能够通过温度调控实现材料电导率变化并影响对称性破缺程度的可调非线性电磁超构表面，实现基于超构表面连续域束缚态的非线性响应调控。
本发明授权面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法在权利要求书中公布了：1.面向B5G通信的多通道可调控非线性电磁超构表面构建方法，通过单基频和双基频电磁共振模拟磁分量和电分量的产生过程，代入洛伦兹模型求解非线性极化强度，从求解得到的非线性极化强度中，确定产生人工非线性响应的物理过程及影响非线性响应的物理参量；其特征在于， 对于打破对称性实现直接激发连续域束缚态的情况，确定影响非线性响应的物理参量包括对称性破缺程度、入射偏振状态和材料电导率；基于上述物理参量，在高阻硅衬底上，设置对称且带有破损段的金属结构，得到能够产生若干个通带的非线性电磁超构表面； 基于上述非线性电磁超构表面，采用温敏材料将金属结构的破损段补全，得到能够通过温度调控实现材料电导率变化并影响对称性破缺程度的可调非线性电磁超构表面，实现基于超构表面连续域束缚态的非线性响应调控；所述金属结构由对称设置的开口圆环对和对称设置的圆弧对组成，所述开口圆环对位于圆弧对之间，圆弧对中的其中一个圆弧的一端设置有破损段，所述开口圆环对的对称线与所述圆弧对的对称线相互垂直。
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