光子公司S·西蒙斯获国家专利权
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龙图腾网获悉光子公司申请的专利用于与自旋存储的量子信息交互的系统、装置及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115759267B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211348372.4，技术领域涉及：G06N10/00；该发明授权用于与自旋存储的量子信息交互的系统、装置及方法是由S·西蒙斯;M·L·W·特瓦尔特设计研发完成，并于2016-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于与自旋存储的量子信息交互的系统、装置及方法在说明书摘要公布了：本申请涉及用于与自旋存储的量子信息交互的系统、装置及方法。一种量子信息处理装置包含半导体衬底。光学共振器耦合到所述衬底。所述光学共振器支持具有第一共振器频率的第一光子模态。所述量子信息处理装置包含安置在所述半导体衬底内且光学耦合到所述光学共振器的非气态硫族元素施体原子。所述施体原子具有与所述共振器频率共振的跃迁频率。本文中也揭示在量子信息处理中具有实际应用的系统、装置、物件及方法，所述量子信息处理包含光学耦合到光学结构的硅衬底中的一或多个深杂质或与所述一或多个深杂质相关联。
本发明授权用于与自旋存储的量子信息交互的系统、装置及方法在权利要求书中公布了：1.一种信息处理装置，其包括： 半导体衬底； 深杂质，其安置在所述半导体衬底内，所述深杂质具有多个自旋选择性光学跃迁； 光学结构，其耦合到所述半导体衬底且具有一或多个光子模态； 控制器，其经被配置以通过将磁场、电场或机械应变中的至少一个施加到所述半导体衬底来操纵所述深杂质的量子状态，以致使所述深杂质的所述自旋选择性光学跃迁的子集耦合到所述光学结构的所述光子模态中的第一个； 光学检测器；和 量子信息通道，其经布置以收集来自所述光学结构的光子且将所述光子携带到所述光学检测器，其中所述光学检测器经配置以确定从所述量子信息通道接收的光子的数目且基于所述光子的数目来推断所述深杂质的所述量子状态。
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