买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉北京科技大学;北京低碳清洁能源研究院申请的专利亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115732317B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211384987.2，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极是由陈吉堃;李子昂;高景鑫设计研发完成，并于2022-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极在说明书摘要公布了：本发明提供一种使用铂、金、钯以外金属作为稀土镍基氧化物电极，通过控制金属电极与稀土镍基氧化物的功函数匹配特性，实现对稀土镍基氧化物的低阻欧姆接触并调控氢致电子相变速率的技术方法。针对稀土镍基氧化物的电子、空穴混合载流子电输运机制，本发明可通过高功函数金属或合金接触实现空穴主导输运下的低阻欧姆接触，亦可通过低功函数金属或合金接触实现电子主导输运下的低阻欧姆接触。此外，通过调控金属与稀土镍基氧化物的功函数匹配关系，控制氢气或混合氢气气氛下稀土镍基氧化物的氢致电子相变速率及电阻率突变程度。本发明所提供技术可应用于突变式热敏电阻的低阻欧姆接触、场效应晶体管、逻辑器件、可重构电子器件等领域。

本发明授权亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极在权利要求书中公布了：1.一种亚稳相稀土镍基氧化物电子相变半导体非贵金属接触电极，其特征在于，使用铂、金、钯以外的非贵金属单质或合金化合物作为稀土镍基氧化物接触电极，通过调控金属电极组分实现其与含有不同稀土元素的稀土镍基氧化物的功函数匹配，从而实现对电子、空穴、质子在金属电极与稀土镍基氧化物界面处的输运特性的调控；基于稀土镍基氧化物空穴、电子混合载流子电输运特性，一方面调控非贵金属电极功函数远高于稀土镍基氧化物，选择大于5.12eV，以实现稀土镍基氧化物表面的空穴富集，从而实现低阻欧姆接触；另一方面，调控非贵金属电极功函数远低于稀土镍基氧化物，选择小于4.72eV，以实现稀土镍基氧化物表面的电子富集，从而实现低阻欧姆接触；再一方面，在稀土镍基氧化物氢致电子相变中，调控其表面金属电极功函数从而控制质子通过金属与氧化物界面的肖特基势垒，以实现对质子沿界面的内扩散动力学过程的调控，从而进一步控制稀土镍基氧化物氢致电子相变速率与电阻率突变程度； 通过调节接触金属的功函数，可调控氢气、混合氢气气氛下驱动质子通过金属氧化物界面并进入稀土镍基氧化物的肖特基势垒强度，具有高功函数的金属可以诱导质子内扩散进入稀土镍基氧化物，具有低功函数的金属对质子内扩散有屏蔽作用，从而实现对稀土镍基氧化物氢致电子相变速率以及所引起的电阻率突变程度的调控； 低功函数金属电极为功函数小于4.72eV的非金属单质或合金化合物，其远小于稀土镍基氧化物的功函数，可驱动界面电子富集，形成基于电子运输机制的低阻欧姆接触；通过金属电极种类选用及合金化组分调控，实现功函数与稀土镍基氧化物功能特性相匹配；所选低功函数金属电极在使用温度不与稀土镍基氧化物反应，向稀土镍基氧化物材料内不发生扩散且在空气中稳定，其液相与稀土镍基氧化物表面浸润，所述低功函数金属电极选择Cu、Fe、In。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京科技大学;北京低碳清洁能源研究院，其通讯地址为：100083 北京市海淀区学院路30号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。