三星显示有限公司李顺雨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星显示有限公司申请的专利显示装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115700050B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180040619.3，技术领域涉及：H10K59/12；该发明授权显示装置是由李顺雨;金基铉;朴英吉;李瑟琪;崔根赫;韩在范设计研发完成，并于2021-06-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示装置在说明书摘要公布了：根据本发明的实施例的显示装置包括：第一硅晶体管，包括第一半导体层和与所述第一半导体层重叠的第一栅极电极，其中所述第一半导体层包括硅基半导体；第一氧化物晶体管，与所述第一半导体层隔开并且包括第二半导体层和第二栅极电极，其中所述第二半导体层包括氧化物基半导体；上绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层上；以及第一连接电极，设置在所述上绝缘层上，并且分别通过穿过所述上绝缘层的第一接触孔和第二接触孔电连接到所述第一半导体层和所述第二半导体层。所述第二半导体层包括沟道区及设置在所述沟道区的相应侧上的源极区和漏极区，其中所述第二半导体层的所述沟道区和所述第一接触孔之间的第一距离为约2μm或更大。
本发明授权显示装置在权利要求书中公布了：1.一种显示装置，包括： 第一硅晶体管，包括： 第一半导体层，包括硅基半导体；以及 第一栅极电极，与所述第一半导体层重叠； 第一氧化物晶体管，包括： 第二半导体层，与所述第一半导体层隔开并且包括氧化物基半导体；以及 第二栅极电极； 上绝缘层，设置在所述第一半导体层和所述第二半导体层上，所述上绝缘层包括第一接触孔和第二接触孔；以及 第一连接电极，设置在所述上绝缘层上，通过所述第一接触孔电连接到所述第一半导体层，并且通过所述第二接触孔电连接到所述第二半导体层，其中， 所述第二半导体层包括沟道区、源极区和漏极区，所述源极区和所述漏极区布置在所述沟道区的相对两侧处，并且 所述第二半导体层的所述沟道区和所述第一接触孔之间的第一距离为2μm或更大。
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