南通大学孟雨欣获国家专利权
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龙图腾网获悉南通大学申请的专利一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115659545B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211366861.2，技术领域涉及：G06F30/17；该发明授权一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法是由孟雨欣;罗曼;成田恬;罗向东;余晨辉设计研发完成，并于2022-11-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法，其中该类费米函数由结个数参量与结中心位置参量控制。本发明通过改变结个数参量的大小实现对单结、双结、三结SiC功率二极管JTE结构的变换，通过改变结中心位置参量的大小实现JTE结中心位置的移动和JTE长度的变化，可改进器件JTE结构传统设计方法中所存在的变量多和计算量大的缺点，用于提高具有理想击穿电压的SiC功率二极管结构的设计效率。在类费米函数的作用下，对不同长度和不同掺杂浓度的单、双、三结JTE结构进行扫描式仿真，得到器件击穿电压以结个数参量、结中心位置参量为坐标的二维图，即可找到最大理想击穿电压点所对应二极管作为设计最优解。
本发明授权一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法在权利要求书中公布了：1.一种基于类费米函数的SiC功率二极管的设计与优化方法，其特征在于：类费米函数由结个数参量与结中心位置参量控制； 改变所述结个数参量的大小实现JTE区掺杂浓度的分布和大小变化，并根据掺杂浓度的连续性确定SiC功率二极管为单结、双结或三结JTE结构； 改变所述结中心位置参量的大小实现JTE区长度的变化和结中心位置的移动； 所述类费米函数公式如下： 其中，Fx代表位于JTE结构x处的掺杂浓度大小，x代表位于JTE结构中距主结的距离，x的变化范围为0至预设的JTE总长度；可变参量μ为结中心位置参量，取值范围为0～104；可变参量λ为结个数参量，取值范围为0～600；D1为预设的JTE区初始掺杂浓度，D1+D2为预设的JTE区最高掺杂浓度，D1～D1+D2的取值范围为1×1012cm-3～1×1019cm-3。
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