新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院雷琦获国家专利权
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龙图腾网获悉新余赛维铸晶技术有限公司;江西新余新材料科技研究院申请的专利判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115560701B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210571777.8，技术领域涉及：G01B11/26；该发明授权判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置是由雷琦;何亮;甘胜泉;邹贵付;王文平设计研发完成，并于2022-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置，涉及晶体生长技术领域，判断方法包括：对生长晶向的铸造单晶硅锭进行切割，切割方向垂直于铸造单晶硅锭的凝固方向，切割得到单晶样品；对单晶样品进行腐蚀或光致发光测试，并获取得到单晶样品的腐蚀图片或光致发光的图片；识别图片中的晶界；识别晶界两侧的微孪晶；判断并计算得到晶界的角度偏差θ。本发明的判断方法简单方便，准确率高，可在实际生产中应用，能有效用于研发的指导。
本发明授权判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法和检测装置在权利要求书中公布了：1.一种判断铸造单晶硅中晶界角度偏差的方法，其特征在于，所述判断方法包括： 对100生长晶向的铸造单晶硅锭进行切割，切割方向垂直于所述铸造单晶硅锭的凝固方向，切割得到单晶样品； 对所述单晶样品进行腐蚀或光致发光测试，并获取得到所述单晶样品的腐蚀图片或光致发光的图片； 识别所述腐蚀图片或光致发光的图片中的晶界； 识别所述晶界两侧的微孪晶；所述微孪晶的识别方法为：在被所述晶界分割的同一区域识别长度为1-20mm的直线，若存在至少两条相互平行或相互垂直的1-20mm的直线，则判断其为微孪晶； 判断并计算得到所述晶界的角度偏差θ；所述判断并计算得到所述晶界的角度偏差θ的方法为：在单个所述晶界的两侧分别选取两条所述微孪晶，并将其做延长线与所述晶界相交；所述微孪晶的延长线的一端与所述晶界相交，所述延长线的另一端远离所述晶界；其中，选取的两条所述微孪晶中任意一条所述微孪晶的远离所述晶界的一端的延长线的延伸方向朝向另一条所述微孪晶与所述晶界的相交的一端方向，所述两条微孪晶的延长线形成的夹角为所述晶界的角度偏差θ。
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