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龙图腾网获悉无锡新洁能股份有限公司申请的专利一种半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115548088B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210943107.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种半导体器件是由朱袁正;黄薛佺;杨卓设计研发完成，并于2021-03-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有N型掺杂外延层，在N型掺杂外延层上设有高压区和低压区，在高压区与低压区之间设有高低压结终端区，在低压区和高低压结终端区之间设有第一P型隔离柱，在高压区和高低压结终端区之间设有第二P型隔离柱，在第一P型隔离柱上连接第二P型隔离柱，所述第一P型隔离柱和第二P型隔离柱形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中。所述高压器件为JFET器件、LDMOS器件、LIGBT器件、功率二极管器件中的一种或多种。本发明提高了芯片面积的利用率，从而降低了集成电路的成本。

本发明授权一种半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括：P型衬底001，在P型衬底001上设有N型掺杂外延层008，在N型掺杂外延层008上设有高压区110和低压区140，在高压区110与低压区140之间设有高低压结终端区120，其特征在于，在低压区140和高低压结终端区120之间设有第一P型隔离柱130a，在高压区110和高低压结终端区120之间设有第二P型隔离柱130b，在第一P型隔离柱130a上连接第二P型隔离柱130b，所述第一P型隔离柱130a和第二P型隔离柱130b形成一个或多个封闭区域，高压器件设置在所述封闭区域中； 所述高压器件为功率二极管器件，包括P型衬底001，所述第一P型隔离柱130a和第二P型隔离柱130b均包括自下而上依次设置的P型埋层002、P型区域003和P型深阱004；P型埋层002位于N型掺杂外延层008和P型衬底001交界处，所述P型埋层002通过P型区域003和P型深阱004引到表面；其中第一P型隔离柱130a的P型深阱004表面设有P型高浓度接触006并与阳极金属017相连；第一P型隔离柱130a和第二P型隔离柱130b之间的N型掺杂外延层008区域作为高压器件的漂移区；在漂移区远离阳极金属017的另一侧设有N型高浓度接触005与阴极金属018相连。

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