格科微电子(浙江)有限公司赵立新获国家专利权
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龙图腾网获悉格科微电子(浙江)有限公司申请的专利提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115547928B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110724581.3，技术领域涉及：H10P58/00；该发明授权提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构是由赵立新;侯欣楠;张拥华设计研发完成，并于2021-06-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构，所述方法包括：提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述晶圆由下至上包括衬底层、介质层、器件层；相邻的半导体芯片之间设置有切割道，沿着所述切割道在所述器件层中形成沟槽结构；从背面切割所述衬底层与所述沟槽结构对应的位置，引导所述介质层沿着所述沟槽结构裂开，以提高切割良率。本发明通过沿着切割道在器件层中形成沟槽结构，以便后续从背面切割衬底层与所述沟槽结构对应的位置时，引导介质层沿着所述沟槽结构裂开，有利于减少断面分层、蛇形等异常现象，从而降低工艺难度，提高晶圆的切割良率。
本发明授权提高晶圆切割性能的方法及晶圆结构在权利要求书中公布了：1.一种提高晶圆切割性能的方法，其特征在于，包括： 提供设置有若干半导体芯片的晶圆，所述晶圆由下至上包括衬底层、介质层、器件层； 相邻的半导体芯片之间设置有切割道，沿着所述切割道在所述器件层中形成沟槽结构，所述器件层包括半导体材料和金属测试焊盘，在所述半导体材料和金属测试焊盘中均形成所述沟槽结构； 从背面切割所述衬底层与所述沟槽结构对应的位置，引导所述介质层沿着所述沟槽结构裂开，以提高切割良率； 所述器件层还包括量测结构，所述量测结构位于沟槽结构的一侧或两侧。
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