联华电子股份有限公司周志飙获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利微发光二极管布局结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458521B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110558169.9，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权微发光二极管布局结构及其制作方法是由周志飙设计研发完成，并于2021-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本微发光二极管布局结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构及其制作方法，其中该用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构包含多个显示单元在一透明基底排列成一单元阵列、多个微发光二极管设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出被该边缘区域所围绕的透光区域、以及像素驱动电路设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
本发明授权微发光二极管布局结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种用于扩增实境与混合实境的微发光二极管布局结构，包含： 透明基底，该透明基底上界定有多个显示单元排列成单元阵列； 多个微发光二极管，设置在每个显示单元的边缘区域并裸露出为边缘区域所围绕的透光区域；以及 像素驱动电路，设置在该些微发光二极管正下方的该边缘区域上。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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