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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种晶圆键合间隙空气消除工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115458440B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211082881.7，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种晶圆键合间隙空气消除工艺是由严立巍;朱亦峰;刘文杰;马晴设计研发完成，并于2022-09-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆键合间隙空气消除工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及晶圆加工技术领域，具体是一种晶圆键合间隙空气消除工艺，所述空气消除工艺包括以下步骤：将键合有晶圆的玻璃载盘吸附固定在旋转台上，调节第一喷嘴对准晶圆正面；将带有缺口的挡板设置在晶圆的边缘处，对聚酰亚胺进行包裹，调节第二喷嘴对准缺口处；先打开第一喷嘴，向晶圆的正面持续喷入纯水，在晶圆上形成浸没聚酰亚胺的防护水层；再打开第二喷嘴，向缺口处持续喷入NMP溶剂，形成蚀刻区域，NMP溶剂对蚀刻区域内的聚酰亚胺进行蚀刻去除处理，使蚀刻区域与键合间隙连通；对蚀刻去除处理后的晶圆，进行真空工艺，再进行晶圆的后续工艺。本发明空气消除工艺，向防护水层上喷NMP溶剂，蚀刻去除聚酰亚胺，再去除键合间隙内的空气。

本发明授权一种晶圆键合间隙空气消除工艺在权利要求书中公布了：1.一种晶圆键合间隙空气消除工艺，其特征在于，所述空气消除工艺包括以下步骤： S1、将键合有晶圆2的玻璃载盘1吸附固定在旋转台9上，调节第一喷嘴6对准晶圆2正面； S2、将带有缺口的挡板5设置在晶圆2的边缘处，对聚酰亚胺3进行包裹，调节第二喷嘴7对准缺口处； S3、先打开第一喷嘴6，向晶圆2的正面持续喷入纯水，在晶圆2上形成浸没聚酰亚胺3的防护水层； S4、再打开第二喷嘴7，向缺口处持续喷入NMP溶剂，形成蚀刻区域8，NMP溶剂对蚀刻区域8内的聚酰亚胺3进行蚀刻去除处理，使蚀刻区域8与键合间隙4连通； S5、对蚀刻去除处理后的晶圆2，进行真空工艺，从蚀刻区域8内抽出键合间隙4内的空气，再进行晶圆2的后续工艺； 所述S2中的挡板5上开设有至少两个缺口； 所述S3中的防护水层漫过挡板5后，在挡板5上形成水幕； 所述S4中的第二喷嘴7将NMP溶剂喷入缺口处，冲开缺口内纯水，形成蚀刻区域8； 所述旋转台9上设置有第一喷嘴6，旋转台9上倾斜设置有至少两个第二喷嘴7，第一喷嘴6连接纯水供给设备，第二喷嘴7连接NMP溶剂供给设备。

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