南京诚芯集成电路技术研究院有限公司张利斌获国家专利权
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龙图腾网获悉南京诚芯集成电路技术研究院有限公司申请的专利一种高精度套刻补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115407618B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211116711.6，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种高精度套刻补偿方法是由张利斌;韦亚一设计研发完成，并于2022-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高精度套刻补偿方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体光刻技术领域，具体涉及一种高精度套刻补偿方法，包括，使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数；基于逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数；对实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果。对对比结果进行判断，若对比结果在预设范围内，则应用至生产工艺中进行补偿，若对比结果不在预设范围内，则探索和诊断问题，通过使用泽尼克多项式模型，以及参考晶圆的逐场补偿模型，实现对任意批次、任意机台的晶圆套刻误差的快速补偿，从而解决了现有的补偿方法效率较低的问题。
本发明授权一种高精度套刻补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种高精度套刻补偿方法，其特征在于，包括以下步骤： 使用泽尼克多项式对晶圆进行全局套刻误差计算，得到逐场补偿模型参数，所述晶圆包括参考晶圆和实际晶圆； 基于所述逐场补偿模型参数使用补偿公式进行计算，得到实际晶圆套刻补偿参数； 对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果，具体方式为： 使用所述逐场补偿模型对所述实际晶圆进行计算，得到实际晶圆逐场补偿模型参数； 对所述实际晶圆套刻补偿参数和实际晶圆逐场补偿模型参数进行对比，得到对比结果； 对所述对比结果进行判断，若所述对比结果在预设范围内，则将所述实际晶圆套刻补偿参数应用至生产工艺中进行补偿，具体为：判断对比结果是否符合残差预期，若符合预期时，则应用到量产工艺中，并在随后阶段随机选择实际晶圆进行对比，若不符合要求，则探索和诊断问题。
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