学校法人关西学院;丰田通商株式会社金子忠昭获国家专利权
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龙图腾网获悉学校法人关西学院;丰田通商株式会社申请的专利半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115398044B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180028129.1，技术领域涉及：C30B29/38；该发明授权半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法是由金子忠昭;堂岛大地设计研发完成，并于2021-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法在说明书摘要公布了：本发明要解决的问题在于提供一种能够抑制生长层的裂纹产生的新颖技术。本发明是一种半导体衬底的制造方法，包括：用于降低基底衬底10的强度的脆加工步骤S10；和用于在基底衬底10上形成生长层20的晶体生长步骤S20。此外，本发明是一种用于抑制生长层20中裂纹的产生的方法，包括在基底衬底10上形成生长层20之前降低基底衬底10强度的脆加工步骤S10。
本发明授权半导体衬底的制造方法、半导体衬底以及抑制生长层裂纹产生的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体衬底的制造方法，包括： 降低基底衬底的强度的脆加工步骤；和 在所述基底衬底上形成生长层的晶体生长步骤， 所述脆加工步骤具有在所述基底衬底上形成贯通孔的贯通孔形成步骤， 所述贯通孔形成步骤是去除有效面积的50％以上的步骤，所述有效面积是在所述晶体生长步骤中所述生长层的原料附着的所述基底衬底的表面的面积， 所述晶体生长步骤是在具有所述贯通孔的所述基底衬底上形成生长层的步骤。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人学校法人关西学院;丰田通商株式会社，其通讯地址为：日本国兵库县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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