厦门士兰明镓化合物半导体有限公司郑锦坚获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门士兰明镓化合物半导体有限公司申请的专利半导体发光元件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394891B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168254.5，技术领域涉及：H10H20/825；该发明授权半导体发光元件及其制备方法是由郑锦坚;邬元杰;常亮;丘金金;高默然;毕京锋设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体发光元件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体发光元件及其制备方法，其中所述半导体发光元件从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层、第一p型半导体层、第一非故意掺杂半导体层、第二非故意掺杂半导体层以及第二p型半导体层，其中第一p型半导体层中的Mg与H的浓度比、第一非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比、第二非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比以及第二p型半导体层中的Mg与H的浓度比先降低再升高。本发明通过设置第一p型半导体层、第一非故意掺杂半导体层、第二非故意掺杂半导体层以及第二p型半导体层的Mg与H浓度比先降低再升高，能够提高半导体发光元件的发光效率以及光电转换效率。
本发明授权半导体发光元件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体发光元件，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、n型半导体层、量子阱层、第一p型半导体层、第一非故意掺杂半导体层、第二非故意掺杂半导体层以及第二p型半导体层，所述第一p型半导体层中的Mg与H的浓度比、第一非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比、第二非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比以及第二p型半导体层中的Mg与H的浓度比先降低再升高；其中，所述第二非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比≤所述第一非故意掺杂半导体层中的Mg与H的浓度比≤所述第二p型半导体层中的Mg与H的浓度比≤第一p型半导体层中的Mg与H的浓度比；所述第一p型半导体层中的Al浓度、第一非故意掺杂半导体层中的Al浓度、第二非故意掺杂半导体层中的Al浓度以及第二p型半导体层中的Al浓度先降低再升高再降低最后升高，以及在所述第一非故意掺杂半导体层上形成第二非故意掺杂半导体层。
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