上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司张强获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394855B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211042108.8，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法是由张强设计研发完成，并于2022-08-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法，通过在锗硅主体层与硅盖帽层之间增设锗硅盖帽层，并通过调节锗前体流量以及第一锗硅外延反应气体中各反应气体之间流量比例，实现使锗硅盖帽层中的锗浓度自下而上呈递减状态，从而在锗硅主体层与硅盖帽层之间形成浓度渐变降低的锗硅缓冲层，能够明显减少锗硅本征层与硅盖帽层在界面处发生晶格失配的概率，因此可以有效解决弛豫缺陷问题；并且，本发明通过在形成硅盖帽层前的梯度升温阶段，采用不含锗前体的第二锗硅外延反应气体，对锗硅盖帽层的表面进行活化处理，使锗硅晶体表面始终处于吸热和放热的活跃状态，从而可极大程度地降低在晶体表面产生弛豫的风险。
本发明授权一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种具有锗硅源漏区的PMOS器件结构，其特征在于，包括： 衬底； 设于所述衬底上的栅极和位于所述栅极两侧的源漏区； 所述源漏区包括自下而上形成的锗硅籽晶层、锗硅主体层、锗硅盖帽层和硅盖帽层； 其中，所述锗硅盖帽层具有在梯度升温工艺中经不含锗前体的锗硅外延反应气体活化处理后的表面。
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