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龙图腾网获悉深圳基本半导体有限公司申请的专利一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360240B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210939737.4，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法是由李学会;汪之涵;傅俊寅设计研发完成，并于2022-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，提供一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法，所述屏蔽栅功率MOSFET的终端结构含有P阱区以及N+源区的区域，在常规屏蔽栅功率MOSFET划片槽区域基础上增加一个雪崩耐量增强结构，所述雪崩耐量增强结构包括附加沟槽场氧和附加沟槽多晶硅。通过在常规屏蔽栅功率MOSFET晶圆的划片槽中增加一个附加终端沟槽结构，减少了源区总的雪崩空穴电流的电流强度和电流密度，提高了器件抗雪崩击穿的特性，增大了雪崩耐量EAS，从而提高了器件的可靠性；减少了一次N+光刻，减少了芯片流通时间和芯片制造成本。

本发明授权一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种屏蔽栅功率MOSFET的终端结构，其特征在于，含有P阱区以及N+源区的区域，在常规屏蔽栅功率MOSFET划片槽区域基础上增加一个雪崩耐量增强结构，所述雪崩耐量增强结构为雪崩耐量增强结构沟槽12A，所述雪崩耐量增强结构包括附加沟槽场氧和附加沟槽多晶硅； 所述屏蔽栅功率MOSFET的终端结构包括N+衬底1、N-外延层2、终端沟槽场氧化层3、P阱7、N+源区8、介质层9、背面金属10、附加沟槽场氧化层3A、正面金属13、终端沟槽多晶硅14、附加沟槽多晶硅14A、隔离氧化层4、屏蔽栅6、控制栅11、栅氧化层5以及沟槽12； 所述P阱7为所述P阱区，所述N+源区8为所述N+源区，所述附加沟槽场氧化层3A为所述附加沟槽场氧，所述附加沟槽多晶硅14A为所述附加沟槽多晶硅； 所述背面金属10、所述N+衬底1、所述N-外延层2、所述P阱7、所述N+源区8、所述介质层9和所述正面金属13在第一方向上依次设置、且在第二方向上依次形成源区、第一终端区和第二终端区，所述第二方向与所述第一方向垂直；所述常规屏蔽栅功率MOSFET划片槽区域为所述第二终端区； 在所述源区，所述沟槽12设于所述N-外延层2、所述P阱7和所述N+源区8，所述沟槽12面向所述介质层9的一侧连接所述介质层9，所述终端沟槽场氧化层3、所述屏蔽栅6、所述隔离氧化层4和所述控制栅11在所述第一方向依次设于所述沟槽12，所述控制栅11面向所述介质层9的一侧连接所述介质层9，所述栅氧化层5设于所述沟槽12，所述控制栅11和所述栅氧化层5在所述第二方向上排布，所述氧化层5面向所述介质层9的一侧连接所述介质层9； 在所述第一终端区，所述沟槽12设于N-外延层2、P阱7和N+源区8，所述沟槽12面向介质层9的一侧连接所述介质层9，所述终端沟槽场氧化层3设于所述沟槽12，所述附加沟槽多晶硅14A设于所述终端沟槽场氧化层3内，所述终端沟槽场氧化层3和所述附加沟槽多晶硅14A面向所述介质层9的一侧均连接所述介质层9； 在所述第二终端区，所述雪崩耐量增强结构沟槽12A设于N-外延层2、P阱7和N+源区8，所述雪崩耐量增强结构沟槽12A面向所述介质层9的一侧连接所述介质层9，所述附加沟槽场氧化层3A设于雪崩耐量增强结构沟槽12A，所述附加沟槽多晶硅14A设于所述附加沟槽场氧化层3A内，所述附加沟槽场氧化层3A和所述附加沟槽多晶硅14A面向所述介质层9的一侧均连接所述介质层9。

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