台湾积体电路制造股份有限公司余德伟获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于制造集成电路结构的方法和集成电路结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346920B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210292794.8，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于制造集成电路结构的方法和集成电路结构是由余德伟;谢明峰;宋学昌;郑培仁;杨育佳;程健家设计研发完成，并于2022-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制造集成电路结构的方法和集成电路结构在说明书摘要公布了：本公开涉及一种用于制造集成电路结构的方法和一种集成电路结构。一种方法包括蚀刻半导体衬底，以形成位于第一半导体条带和第二半导体条带之间的沟槽。第一半导体条带在第一半导体条带的顶端下方约5nm处具有第一宽度，并在第一半导体条带的顶端下方约60nm处具有第二宽度。第一宽度小于约5nm，第二宽度小于约14.5nm。利用介电材料填充沟槽以形成隔离区，使该隔离区凹陷以具有深度。第一半导体条带的顶部突出高于隔离区以形成突出鳍。突出鳍具有小于该深度的高度。形成在突出鳍的侧壁和顶表面上延伸的栅极堆叠。
本发明授权用于制造集成电路结构的方法和集成电路结构在权利要求书中公布了：1.一种用于制造集成电路结构的方法，包括： 蚀刻半导体衬底，以形成位于第一半导体条带和第二半导体条带之间的第一沟槽、以及位于所述第二半导体条带和第三半导体条带之间的第二沟槽，其中，所述第二沟槽比所述第一沟槽深； 填充所述第一沟槽和所述第二沟槽，以形成位于所述第一半导体条带和所述第二半导体条带之间的第一隔离区、以及位于所述第二半导体条带和所述第三半导体条带之间的第二隔离区； 使所述第一隔离区和所述第二隔离区凹陷，其中，所述第一半导体条带的顶部形成为第一突出鳍，所述第二半导体条带的顶部形成为第二突出鳍，并且所述第三半导体条带的顶部形成为第三突出鳍，其中，所述第一突出鳍与所述第二突出鳍间隔第一间距，所述第二突出鳍与所述第三突出鳍间隔第二间距，所述第二间距基本等于所述第一间距，其中，所述第一突出鳍、所述第二突出鳍和所述第三突出鳍的弯曲值小于4nm； 在所述第二突出鳍上形成栅极堆叠；以及 基于所述第二突出鳍形成源极区和漏极区，其中，所述栅极堆叠位于所述源极区和所述漏极区之间。
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