英飞凌科技奥地利有限公司L·佩卢索获国家专利权
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龙图腾网获悉英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利磁结构和电感耦合控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115346786B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210515461.7，技术领域涉及：H01F41/02；该发明授权磁结构和电感耦合控制是由L·佩卢索;G·德伯伊;M·J·卡斯珀;K·K·梁设计研发完成，并于2022-05-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁结构和电感耦合控制在说明书摘要公布了：本公开的各实施例总体上涉及磁结构和电感耦合控制。根据一个配置，制造设施将电路部件的芯制造为包括导磁材料。制造设施将电路部件进一步生产为包括延伸穿过导磁材料的芯的多个导电路径。在一个布置中，多个导电路径包括第一导电路径和第二导电路径。制造设施将电路部件、更具体地导磁材料的芯，制造为包括至少一个切口部分，切口部分可操作为减少在芯中设置的第一导电路径与第二导电路径之间的电感耦合。
本发明授权磁结构和电感耦合控制在权利要求书中公布了：1.一种电子装置，包括： 由导磁材料制成的芯； 延伸穿过所述导磁材料的所述芯的多个导电路径的布置，所述多个导电路径包括第一导电路径和第二导电路径；以及 所述导磁材料的所述芯被制造为包括至少一个切口部分，所述至少一个切口部分操作为减少所述第一导电路径与所述第二导电路径之间的电感耦合； 其中所述至少一个切口部分包括第一切口部分和第二切口部分，其中所述第一导电路径和所述第二导电路径彼此平行设置并且从所述电子装置的第一表面延伸到所述电子装置的第二表面，其中所述第一切口部分从所述第一表面平行于所述第一导电路径和所述第二导电路径延伸，其中所述第二切口部分从所述第二表面平行于所述第一导电路径和所述第二导电路径延伸，其中所述导磁材料的所述芯包括被设置在所述第一导电路径与所述第二导电路径之间的部分，并且其中所述导磁材料的所述部分也设置在所述第一切口部分和所述第二切口部分之间。
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