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龙图腾网获悉北京奕斯伟计算技术股份有限公司申请的专利半导体器件及开关电源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115295606B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210844410.9，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体器件及开关电源是由张宗江;奉荣;吴庆锋设计研发完成，并于2022-07-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及开关电源在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件及开关电源，半导体器件包括：第一埋层，位于衬底的第一区域中；体区、第一阱区、漂移区、以及第二阱区，位于第一埋层上，漂移区位于第一阱区与体区之间，且与体区接触，第二阱区为环形区，与第一埋层构成隔离区，将体区、第一阱区、漂移区包围；第三阱区，位于衬底的第二区域中；隔离结构，位于衬底的第二区域中，且位于第二阱区与第三阱区之间，隔离结构的部分表面暴露在衬底外部且悬空，以阻隔半导体器件中的漏电回路。本申请利用悬空的隔离结构，实现了阻隔半导体器件中漏电回路的目的，并提升了隔离效果。

本发明授权半导体器件及开关电源在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其中，包括： 衬底，包括第一区域和第二区域； 第一埋层，位于所述衬底的第一区域中； 体区、第一阱区、漂移区、以及第二阱区，位于所述衬底的第一区域中，并位于所述第一埋层上，其中，所述漂移区位于所述第一阱区与所述体区之间，且与所述体区接触，所述第二阱区为环形区，与所述第一埋层构成隔离区，将所述体区、所述第一阱区、所述漂移区包围； 第三阱区，位于所述衬底的第二区域中；以及 隔离结构，位于所述衬底的第二区域中，且位于所述第二阱区与所述第三阱区之间， 其中，所述隔离结构的部分表面暴露在所述衬底外部且悬空，以阻隔所述半导体器件中的漏电回路， 所述隔离结构中包括： 第四阱区，位于所述第二阱区与所述第三阱区之间；以及 第五阱区，位于所述第四阱区与所述第三阱区之间，其中，所述第四阱区为第一掺杂类型，所述第五阱区为第二掺杂类型，所述第三阱区与所述第四阱区之间形成第一寄生电阻， 其中，所述第一阱区、所述第三阱区、所述衬底、所述体区为第一掺杂类型，所述漂移区、所述第二阱区为第二掺杂类型。

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