24M技术公司;京瓷株式会社荒浪顺次获国家专利权
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龙图腾网获悉24M技术公司;京瓷株式会社申请的专利用于形成具有高活性固体加载的半固体电极和包括其的电化学电池的装置和方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115244729B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180019722.X，技术领域涉及：H01M4/04；该发明授权用于形成具有高活性固体加载的半固体电极和包括其的电化学电池的装置和方法是由荒浪顺次;R·扎加尔斯;太田直树;陈君政;R·巴扎雷拉设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于形成具有高活性固体加载的半固体电极和包括其的电化学电池的装置和方法在说明书摘要公布了：本文所述的实施例一般而言涉及用于通过移除过量电解质来形成具有高活性固体加载的半固体电极的装置和方法。在一些实施例中，半固体电极材料能够通过在液体电解质中混合活性材料和可选地导电材料以形成悬浮液来形成。在一些实施例中，能够将半固体电极材料部署到集电器上以形成中间电极。在一些实施例中，半固体电极材料能够具有第一组成，其中电解质与活性材料的比率在大约10:1和大约1:1之间。在一些实施例中，用于将半固体电极材料从第一组成转化为第二组成的方法包括从半固体电极材料中移除电解质的一部分。
本发明授权用于形成具有高活性固体加载的半固体电极和包括其的电化学电池的装置和方法在权利要求书中公布了：1.一种形成致密的半固体电极的方法，该方法包括： 将活性材料和导电材料与液体电解质混合以形成半固体电极材料，液体电解质占半固体电极材料的50wt%和80wt%之间； 将半固体电极材料部署到集电器上； 将半透膜部署到半固体电极材料的暴露表面上；以及 压缩集电器和半透膜之间的半固体电极材料以提取液体电解质的一部分并形成致密的半固体电极， 其中致密的半固体电极包括按体积计60%和85%之间的活性材料，并且液体电解质占致密的半固体电极的10wt%和45wt%之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人24M技术公司;京瓷株式会社，其通讯地址为：美国马萨诸塞；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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