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龙图腾网获悉特拉量子股份公司申请的专利具有负电容栅极结构的场效应晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224120B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210398521.1，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权具有负电容栅极结构的场效应晶体管是由I·卢肯楚克;Y·帝霍诺夫;A·拉祖纳亚;V·维诺库尔设计研发完成，并于2022-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有负电容栅极结构的场效应晶体管在说明书摘要公布了：一种具有负电容栅极结构的场效应晶体管。所述场效应晶体管包括沟道和布置在所述沟道上方的栅极电介质。所述负电容栅极结构包括包含底部电极的底部电极结构、多畴结构和顶部电极结构。所述多畴结构包括布置在所述底部电极上方的多畴元件，所述多畴元件包括多个拓扑畴和至少一个拓扑畴壁。所述顶部电极结构包括布置在所述多畴元件上方的顶部电极。所述负电容栅极结构的所述底部电极结构的至少一部分布置在所述栅极电介质上方并且适于通过所述栅极电介质耦接到所述沟道。

本发明授权具有负电容栅极结构的场效应晶体管在权利要求书中公布了：1.一种具有负电容栅极结构202,202’的场效应晶体管200,200’，所述场效应晶体管200,200’包括沟道216和布置在所述沟道216上方的栅极电介质218，所述负电容栅极结构202,202’包括： 底部电极结构，所述底部电极结构包括底部电极212， 多畴结构，所述多畴结构包括布置在所述底部电极212上方的多畴元件204，所述多畴元件204包括多个拓扑畴206,208和至少一个拓扑畴壁210，以及 顶部电极结构，所述顶部电极结构包括布置在所述多畴元件204上方的顶部电极214；其中， 所述负电容栅极结构202,202’的所述底部电极结构的至少一部分布置在所述栅极电介质218上方并且适于通过所述栅极电介质218耦接到所述沟道216， 其中，所述多畴元件204包括： 具有与所述底部电极212的顶表面的取向相对应的取向的截面区域300a，300b，300c，所述截面区域300a，300b，300c限定最短分隔线304a，304b，304c以将所述截面区域300a，300b，300c分成面积基本相等的多个区，以及 参考线306，所述参考线相对于所述最短分隔线304a，304b，304c移位并且处于由所述截面区域300a，300b，300c限定的表面中， 其中，所述参考线306在所述截面区域300a，300b，300c内的长度308短于所述最短分隔线304a，304b，304c在所述截面区域300a，300b，300c内的长度302a，302b，302c，其差值在所述最短分隔线304a，304b，304c附近随着所述参考线306与所述最短分隔线304a，304b，304c之间的距离310的增加而增加。

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