深圳基本半导体有限公司汪之涵获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳基本半导体有限公司申请的专利一种快恢复二极管及其制作方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115224105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210648333.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种快恢复二极管及其制作方法和应用是由汪之涵;吉臻宇;傅俊寅;谢怀亮设计研发完成，并于2022-06-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快恢复二极管及其制作方法和应用在说明书摘要公布了：本申请提供了一种快恢复二极管及其制作方法和应用。其中，快恢复二极管包括衬底，衬底的表面相对的两侧分别设置有P+截止环区和P型有源区，衬底的表面位于P+截止环区与P型有源区之间的位置还设置有P+场限环区和主结区，P+场限环区及主结区沿P+截止环区指向P型有源区的方向依次设置；P型有源区包括低离子浓度掺杂的P‑body区和高离子浓度掺杂的浅P+区，P‑body区及浅P+区沿P+截止环区指向P型有源区的方向依次设置；其中，P‑body区的结深、载流子浓度与P+场限环区及P+截止环区不同。本申请中P‑body区与P+场限环区之间有电压降产生，同时由于P‑body区为低离子浓度掺杂，所以主结区靠近P‑body区一侧的耗尽区的宽度能够得到扩展，从而有效地提升了快恢复二极管的耐压性能。
本发明授权一种快恢复二极管及其制作方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种快恢复二极管，包括衬底，其特征在于，所述衬底的表面相对的两侧分别设置有P+截止环区和P型有源区，所述衬底的表面位于所述P+截止环区与所述P型有源区之间的位置还设置有P+场限环区和主结区，所述P+场限环区及所述主结区沿所述P+截止环区指向所述P型有源区的方向依次设置； 所述P型有源区包括低离子浓度掺杂的P-body区和高离子浓度掺杂的浅P+区，所述P-body区及所述浅P+区沿所述P+截止环区指向所述P型有源区的方向依次设置；其中，所述P-body区的结深、载流子浓度与所述P+场限环区及所述P+截止环区不同；所述P-body区之间形成有金属势垒区。
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