贝塔沃尔泰卡有限责任公司O·L·苏尔宁获国家专利权
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龙图腾网获悉贝塔沃尔泰卡有限责任公司申请的专利碳化硅:用于放射性同位素能源的材料获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115210415B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180018159.4,技术领域涉及:C30B29/36;该发明授权碳化硅:用于放射性同位素能源的材料是由O·L·苏尔宁;V·I·切普尔诺夫设计研发完成,并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅:用于放射性同位素能源的材料在说明书摘要公布了:作为放射性同位素能量源材料的碳化硅,其含有膜形式的碳化硅半导体结构的单晶相,具有用于分离电子空穴对的n‑型或p‑型电导,包括碳化硅分子结构中的元素:碳同位素C12和额外的碳同位素C14,用于将其辐射能转化为电能,其特征在于n‑型或p‑型电导层中的其中一层的放射性同位素C14的浓度为5·1017至1020cm‑3,其中n‑型或p‑型电导碳化硅层形成于单晶硅衬底的表面上,含C14的n‑型或p‑型电导碳化硅层具有多孔表面形貌。
本发明授权碳化硅:用于放射性同位素能源的材料在权利要求书中公布了:1.碳化硅:用于放射性同位素能量源的材料,其成分中含有膜形式的碳化硅半导体结构的单晶相,具有用于分离电子空穴对的n-型和p-型电导,包括碳化硅分子结构中的元素:碳同位素C12和额外的碳同位素C14,用于将其辐射能转化为电能,其特征在于n-型或p-型电导碳化硅层中的其中一层的放射性同位素C14的浓度为5·1017cm-3至1020cm-3。
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