Document
拖动滑块完成拼图
个人中心

预订订单
商城订单
发布专利 发布成果 人才入驻 发布商标 发布需求

请提出您的宝贵建议,有机会获取IP积分或其他奖励

投诉建议

在线咨询

联系我们

龙图腾公众号
专利交易 商标交易 积分商城 国际服务 IP管家助手 科技果 科技人才 会员权益 需求市场 关于龙图腾 更多
 /  免费注册
到顶部 到底部
清空 搜索
当前位置 : 首页 > 专利喜报 > 贝塔沃尔泰卡有限责任公司O·L·苏尔宁获国家专利权

贝塔沃尔泰卡有限责任公司O·L·苏尔宁获国家专利权

买专利卖专利找龙图腾,真高效! 查专利查商标用IPTOP,全免费!专利年费监控用IP管家,真方便!

龙图腾网获悉贝塔沃尔泰卡有限责任公司申请的专利碳化硅:用于放射性同位素能源的材料获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115210415B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180018159.4,技术领域涉及:C30B29/36;该发明授权碳化硅:用于放射性同位素能源的材料是由O·L·苏尔宁;V·I·切普尔诺夫设计研发完成,并于2021-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。

碳化硅:用于放射性同位素能源的材料在说明书摘要公布了:作为放射性同位素能量源材料的碳化硅,其含有膜形式的碳化硅半导体结构的单晶相,具有用于分离电子空穴对的n‑型或p‑型电导,包括碳化硅分子结构中的元素:碳同位素C12和额外的碳同位素C14,用于将其辐射能转化为电能,其特征在于n‑型或p‑型电导层中的其中一层的放射性同位素C14的浓度为5·1017至1020cm‑3,其中n‑型或p‑型电导碳化硅层形成于单晶硅衬底的表面上,含C14的n‑型或p‑型电导碳化硅层具有多孔表面形貌。

本发明授权碳化硅:用于放射性同位素能源的材料在权利要求书中公布了:1.碳化硅:用于放射性同位素能量源的材料,其成分中含有膜形式的碳化硅半导体结构的单晶相,具有用于分离电子空穴对的n-型和p-型电导,包括碳化硅分子结构中的元素:碳同位素C12和额外的碳同位素C14,用于将其辐射能转化为电能,其特征在于n-型或p-型电导碳化硅层中的其中一层的放射性同位素C14的浓度为5·1017cm-3至1020cm-3。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人贝塔沃尔泰卡有限责任公司,其通讯地址为:俄罗斯联邦萨马拉;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。