罗姆股份有限公司中野佑纪获国家专利权
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龙图腾网获悉罗姆股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115207085B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210704634.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体装置是由中野佑纪;中村亮太设计研发完成，并于2014-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明的半导体装置包含：第1导电型的半导体层，具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽；以及栅极电极，隔着栅极绝缘膜埋入所述栅极沟槽，当导通时在所述栅极沟槽的侧部形成沟道，所述外周部具有配置在所述栅极沟槽的深度以上的深度位置的半导体表面，进一步包含耐压构造，其具有形成在所述外周部的所述半导体表面的第2导电型的半导体区域。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包含： 第1导电型的半导体层，其具有单元部及配置在所述单元部的周围的外周部，并在所述单元部的表面侧形成有栅极沟槽； 栅极电极，其隔着栅极绝缘膜埋入至所述栅极沟槽；以及 用于对所述栅极电极取得接触的栅极指，该栅极指至少配置在所述外周部， 所述栅极沟槽包含到达所述外周部且在所述栅极指的下方横切所述栅极指的线状的沟槽， 所述半导体层的厚度为3μm～20μm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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