厦门市三安集成电路有限公司毛亦琛获国家专利权
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龙图腾网获悉厦门市三安集成电路有限公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210822683.3，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种半导体器件及其制作方法是由毛亦琛;孙维忠;陈振锋;刘超;阮鑫栋设计研发完成，并于2022-07-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件及其制作方法，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括：衬底；位于衬底正面的外延层，其中，外延层包括器件区与间隔区，间隔区位于相邻的两个器件区之间，器件区与间隔区之间设置有沟槽，沟槽的底部露出衬底；位于器件区上的APD单元；以及位于衬底背面的电极，其中，衬底背面的电极对应器件区的位置设置有光窗。本申请提供的半导体器件及其制作方法具有能够改善光、电串扰的优点。
本发明授权一种半导体器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 衬底； 位于所述衬底正面的外延层，其中，所述外延层包括器件区与间隔区，所述间隔区位于相邻的两个器件区之间，所述器件区与所述间隔区之间设置有沟槽，所述沟槽的底部露出所述衬底； 位于所述器件区上的APD单元；以及， 位于所述衬底背面的电极，其中，所述衬底背面的电极对应所述器件区的位置设置有光窗； 所述半导体器件还包括位于所述间隔区上的垫高层；其中， 所述垫高层的表面高于所述APD单元的上表面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人厦门市三安集成电路有限公司，其通讯地址为：361100 福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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