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龙图腾网获悉大庆溢泰半导体材料有限公司申请的专利一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115142135B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210733857.9，技术领域涉及：C30B29/42；该发明授权一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备是由袁韶阳;冯佳峰;于会永;赵春锋;赵中阳;刘钊;张艳辉;荆爱明设计研发完成，并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备在说明书摘要公布了：一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备，涉及砷化镓废料回收装置领域，包括真空压力分解装置、砷回收装置和镓回收装置；真空压力分解装置包括真空分解炉，真空分解炉一端为高温端，另一端为低温端，砷回收装置包括集砷罐和真空泵，集砷罐与真空泵连通，集砷罐的上部与真空分解炉的低温端通过管路连通，集砷罐设置有竖向放置的收集网，集砷罐下方设置有砷收集盒；镓回收装置包括镓液冷却过滤器、洗镓槽、分级溢流槽和镓液收集槽。本发明旨在对砷化镓废料进行全程自动化处理，减少人员接触，自动上料，砷镓自动分离，分离后自动进行纯化处理，产出品纯度至少在5N以上，剩余尾料可循环使用，基本实现零排放。

本发明授权一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备在权利要求书中公布了：1.一种真空法将砷化镓多晶合成的废料综合回收的设备，其特征在于：包括真空压力分解装置、砷回收装置和镓回收装置；所述的真空压力分解装置包括真空分解炉3，真空分解炉3一端为高温端4，另一端为低温端9，高温端4上方设置有添料口1，高温端4下方设置有镓液收集器10，低温端9上方设置有氮气进入管路6；所述的砷回收装置包括集砷罐14和真空泵18，集砷罐14与真空泵18连通，集砷罐14的上部与真空分解炉3的低温端9通过管路连通，集砷罐14设置有竖向放置的收集网13，集砷罐14下方设置有砷收集盒21；所述的镓回收装置包括镓液冷却过滤器、洗镓槽28、分级溢流槽30和镓液收集槽33，镓液冷却过滤装置位于镓液收集器10下方，镓液冷却过滤装置的入口通过管路与镓液收集器10的出口连通，洗镓槽28位于镓液冷却过滤装置的下方，洗镓槽28通过管路与镓液冷却过滤装置的出口连接，洗镓槽28内设置有搅拌器27，分级溢流槽30位于洗镓槽28的下方，洗镓槽28的出液流至分级溢流槽30内，分级溢流槽30的出口通过管路与镓液收集槽33连通。

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