中国科学院半导体研究所;中国科学院大连化学物理研究所裴为华获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院半导体研究所;中国科学院大连化学物理研究所申请的专利转印薄膜器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115101702B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210703211.6，技术领域涉及：H10H29/03；该发明授权转印薄膜器件的方法是由裴为华;陈英;张旭;李亚民;王阳设计研发完成，并于2022-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本转印薄膜器件的方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种转印薄膜器件的方法，包括：利用预先在储水管的转印端构建的水膜，吸附被预先放置在超疏水衬底上的薄膜器件，其中，储水管与水膜之间的吸附力大于超疏水衬底与水膜之间的吸附力；将被水膜吸附的薄膜器贴附于待转印衬底上的目标键合位点，以便薄膜器件从水膜转移至目标键合位点，其中，所述键合位点被预先覆盖一层导电介质，导电介质与薄膜器件之间的吸附力大于水膜与薄膜器件之间的吸附力。
本发明授权转印薄膜器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种转印薄膜器件的方法，包括： 利用预先在储水管的转印端构建的水膜，吸附被预先放置在超疏水衬底上的薄膜器件，其中，所述储水管与所述水膜之间的吸附力大于所述超疏水衬底与所述水膜之间的吸附力，所述储水管具有平整端面，所述薄膜器件为刚性薄膜器件，所述刚性薄膜器件的表面积小于所述转印端的作用面积； 将被所述水膜吸附的所述薄膜器件贴附于待转印衬底上的目标键合位点，以便所述薄膜器件从所述水膜转移至所述目标键合位点，其中，所述目标键合位点被预先覆盖一层导电介质，利用所述水膜在空气中的自行蒸发使所述导电介质与所述薄膜器件之间的吸附力大于所述水膜与所述薄膜器件之间的吸附力。
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