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龙图腾网获悉佳能株式会社申请的专利光电转换装置、光电转换系统和可移动物体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115039228B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180011802.0，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权光电转换装置、光电转换系统和可移动物体是由森本和浩设计研发完成，并于2021-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本光电转换装置、光电转换系统和可移动物体在说明书摘要公布了：本发明涉及光电转换装置、光电转换系统和可移动物体。提供了包括第一导电类型的第一半导体区域的第一雪崩二极管以及包括第一导电类型的第二半导体区域的第二雪崩二极管。第一隔离部分布置在第一半导体区域与第二半导体区域之间。第一隔离部分由第一导电类型的第三半导体区域、或第二导电类型的第四半导体区域和被布置为在俯视图中夹着第四半导体区域的第三半导体区域构成。第三半导体区域满足表达式1，其中Nd为第三半导体区域的杂质浓度、Na为第四半导体区域的杂质浓度、q为元电荷、ε为半导体的介电常数、V为第三半导体区域与第四半导体区域的P‑N结之间的电位差，并且D为由第三半导体区域夹着的第四半导体区域的长度，

本发明授权光电转换装置、光电转换系统和可移动物体在权利要求书中公布了：1.一种光电转换装置，其包括： 第一雪崩二极管，其包括多数载流子是与信号电荷相同导电类型的电荷载流子的、第一导电类型的第一半导体区域；以及第二雪崩二极管，其包括所述第一导电类型的第二半导体区域并且被布置为与所述第一雪崩二极管相邻，其中 第一隔离部分布置在所述第一半导体区域与所述第二半导体区域之间， 所述第一隔离部分由所述第一导电类型的第三半导体区域构成， 第二导电类型的第七半导体区域布置在俯视图中与所述第三半导体区域交叠并且比所述第三半导体区域更深的位置处，所述第二导电类型是不同于所述第一导电类型的导电类型， 所述第三半导体区域和所述第七半导体区域构成P-N结，并且 所述第三半导体区域的杂质浓度低于所述第七半导体区域的杂质浓度， 所述第七半导体区域布置在所述第一半导体区域的周边的第一部分中，并且不布置在所述第一半导体区域的周边的、与所述第一部分不同的第二部分中， 其中，在第一半导体区域和第二半导体区域之间没有布置第二导电类型的半导体区域。

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