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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利存储器、存储器的编程方法及存储器系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115019861B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210729038.7，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权存储器、存储器的编程方法及存储器系统是由郭晓江设计研发完成，并于2022-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本存储器、存储器的编程方法及存储器系统在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种存储器及系统、编程方法，方法包括：对目标态为第i态的选定存储单元施加第N脉冲；施加第N脉冲后，对选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，获得第一子结果和第N个第二子结果；第一子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压，第N个第二子结果指示选定存储单元的阈值电压是否小于第i态目标阈值电压；根据第N个第二子结果，确定目标态为第i态的存储单元中需施加第N+1脉冲的存储单元；第N+1脉冲与第N脉冲的差大于或等于目标阈值电压与预设电压的差；对需施加第N+1脉冲的存储单元施加第N+1脉冲；施加第N+1脉冲后，第一子结果指示第一子验证的失败比特数小于第一预设值时，确定第i态编程通过。

本发明授权存储器、存储器的编程方法及存储器系统在权利要求书中公布了：1.一种存储器的编程方法，其特征在于，所述存储器包括待编程的多个存储单元；所述编程方法包括： 对目标态为第i态的选定存储单元施加第N编程脉冲；其中，i为自然数，N为正整数； 在施加所述第N编程脉冲后，对所述选定存储单元执行第一子验证和第N次第二子验证，对应获得第一子结果和第N个第二子结果；其中，所述第一子结果指示所述选定存储单元的阈值电压是否小于预设电压，所述第N个第二子结果指示所述选定存储单元的阈值电压是否小于所述第i态的目标阈值电压，所述目标阈值电压大于所述预设电压； 根据所述第N个第二子结果，确定目标态为所述第i态的存储单元中需要施加第N+1编程脉冲的存储单元；其中，所述第N+1编程脉冲与所述第N编程脉冲的差值，大于或等于所述目标阈值电压与所述预设电压的差值； 对所述需要施加第N+1编程脉冲的存储单元施加第N+1编程脉冲；其中，在施加所述第N+1编程脉冲后，且所述第一子结果指示所述第一子验证的失败比特数小于第一预设值时，确定对所述第i态编程通过。

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