清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司张天夫获国家专利权
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龙图腾网获悉清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司申请的专利场效应晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114613676B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202011447903.6,技术领域涉及:H10D30/01;该发明授权场效应晶体管及其制备方法是由张天夫;张立辉;金元浩;李群庆;范守善设计研发完成,并于2020-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本场效应晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了:一种场效应晶体管的制备方法,其包括以下步骤:提供一石墨烯纳米带复合结构,该石墨烯纳米带复合结构包括一衬底和多个石墨烯纳米带,该多个石墨烯纳米带间隔设置在所述衬底上并且沿同一方向延伸,所述衬底具有多个间隔设置的凸起;在每个石墨烯纳米带的两端间隔形成一源极及一漏极,并使该源极及漏极与该石墨烯纳米带电连接;形成一绝缘层于所述多个石墨烯纳米带远离衬底的表面;以及形成一栅极于所述绝缘层远离衬底的表面。
本发明授权场效应晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种场效应晶体管的制备方法,其包括以下步骤: 提供一石墨烯纳米带复合结构,包括:提供一衬底,所述衬底包括一衬底本体和多个间隔设置在所述衬底本体的表面的凸起;在所述衬底本体的表面上设定一X方向和一Y方向,所述X方向与所述Y方向相互垂直,所述Y方向上相邻所述凸起之间的距离小于所述X方向上相邻所述凸起之间的距离;在水或者有机溶剂的环境中将一石墨烯膜设置在所述衬底的表面,并且所述凸起位于所述石墨烯膜与所述衬底本体之间,以至于所述衬底与所述石墨烯膜之间有所述水或者有机溶剂的存在,随后进行干燥,利用所述水或有机溶剂的蒸发,使所述石墨烯膜在相邻所述凸起之间形成厚度大于其他区域的褶皱,所述石墨烯膜在每一所述凸起附近形成所述褶皱;以及从所述石墨烯膜远离所述衬底的一侧进行刻蚀,利用褶皱处与所述其他区域的厚度差异,选择性地去除所述其他区域的所述石墨烯膜,保留所述褶皱处的所述石墨烯膜并形成多个沿所述Y方向延伸的石墨烯纳米带,从而获得石墨烯纳米带复合结构,所述石墨烯纳米带复合结构包括所述衬底和所述多个石墨烯纳米带,所述多个石墨烯纳米带间隔设置于所述衬底上; 在每个所述石墨烯纳米带的两端间隔形成一源极及一漏极,并使该源极及漏极与该石墨烯纳米带电连接; 形成一绝缘层于所述多个石墨烯纳米带远离衬底的表面;以及 形成一栅极于所述绝缘层远离衬底的表面。
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