美光科技公司M·A·布莱瑟获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114258570B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202080058361.5,技术领域涉及:G11C11/4096;该发明授权用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统是由M·A·布莱瑟;R·J·鲁尼设计研发完成,并于2020-07-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统在说明书摘要公布了:公开了存储器装置、存储器系统及其操作的方法,其中存储器装置响应于接收到针对模式寄存器的一或多个只写位的模式寄存器读取MRR命令而从所述存储器装置的存储器阵列的不同于所述只写模式寄存器的一或多个单元读取关于所述存储器装置的指示所述存储器装置的状态的数据。所述数据可包含装置设定、环境条件、使用统计数据、元数据、特征支持、特征实施方案、装置状态、温度等。可任选地启用或停用状态信息模式。所述存储器装置可包含DDR5DRAM存储器装置。
本发明授权用于响应于针对只写模式寄存器位的读取命令而提供装置状态的方法以及采用所述方法的存储器装置和系统在权利要求书中公布了:1.一种用于操作存储器装置的方法,其包括: 在所述存储器装置处接收从模式寄存器读取只写位的命令;以及 响应于所述命令,读取指示所述存储器装置的状态的数据,所述状态指示所述存储器装置是否支持特征,其中读取的是指示所述状态的所述数据,而不是所述只写位。
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