杭州芯迈半导体技术有限公司杨啸获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州芯迈半导体技术有限公司申请的专利碳化硅功率半导体器件结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203820B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111197940.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅功率半导体器件结构是由杨啸;陈辉设计研发完成，并于2021-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅功率半导体器件结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳化硅功率半导体器件结构，包括：第一导电类型衬底、第一导电类型漂移区、第二导电类型体区、第一导电类型源区、第二导电类型基区、结型场效应晶体管区、第二导电类型屏蔽区、栅极结构、绝缘层及源极金属层。本发明通过将源极接触窗口设置为至少有一条边线不超出第二导电类型体区与该边线对应的边缘，从而缩小源极接触窗口的面积，使源极金属层只在局部与第一导电类型源区接触。本发明可以有效将碳化硅功率半导体器件结构的总面积进一步缩小，增大沟道长度和结型场效应晶体管区面积与器件结构的总面积的比值，即增大了沟道密度和结型场效应晶体管区的密度，进而减小器件结构的比导通电阻。
本发明授权碳化硅功率半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅功率半导体器件结构，其特征在于，所述器件结构包括： 第一导电类型衬底； 第一导电类型漂移区，位于所述第一导电类型衬底上； 第二导电类型体区，位于所述第一导电类型漂移区内； 第一导电类型源区，环绕于所述第二导电类型体区； 第二导电类型基区，环绕于所述第一导电类型源区； 第二导电类型屏蔽区，环绕于所述第二导电类型体区，且位于所述第一导电类型源区和第二导电类型基区下方； 结型场效应晶体管区，环绕于所述第二导电类型基区及所述第二导电类型屏蔽区； 栅极结构，覆盖于所述结型场效应晶体管区、第二导电类型基区和部分所述第一导电类型源区上； 绝缘层，覆盖于器件结构表面，所述绝缘层具有源极接触窗口，所述源极接触窗口至少有一条边线不超出所述第二导电类型体区与该边线对应的边缘； 源极金属层，填充于所述源极接触窗口； 所述源极接触窗口有三条边线不超出所述第二导电类型体区该三条边线对应的边缘。
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