联华电子股份有限公司陈春宏获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体结构获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114188311B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202010965238.3,技术领域涉及:H10W42/20;该发明授权半导体结构是由陈春宏;林明哲设计研发完成,并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了:本发明公开了一种半导体结构,包括一中介层基底,其包括一上表面及相对于该上表面的一下表面。一护卫环形成在该中介层基底中并且围绕该中介层基底的一元件区。至少一穿硅通孔形成在该中介层基底中,其中该护卫环邻近该上表面的一端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的一端部互相齐平。
本发明授权半导体结构在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,其特征在于,包括 中介层基底,包括上表面及相对于该上表面的下表面; 护卫环,形成在该中介层基底中,并且围绕该中介层基底的元件区; 至少一穿硅通孔,形成在该中介层基底中,其中该护卫环邻近该上表面的端部以及该穿硅通孔邻近该上表面的端部互相齐平;以及 电子元件,形成在该中介层基底的该元件区中, 其中,该护卫环与该电子元件通过相同制作工艺同时形成。
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