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龙图腾网获悉深圳大学申请的专利一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141622B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-10发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111421947.6，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法是由刘新科;高麟飞;黎晓华;宋利军;黄双武设计研发完成，并于2021-11-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种GAAFET氮化镓场效应晶体的制备方法，包括：在单晶衬底的表面刻蚀形成中间垂直凸出的纳米线，在纳米线两侧的刻蚀表面生长氧化层使氧化层与纳米线的高度齐平，并蒸镀金属膜，经剥离、退火形成栅极；在栅极表面生长氧化层后外延生长Si外延层，并刻蚀Si外延层至栅极氧化层的高度，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第一纳米线，生长氧化层蒸镀金属膜，剥离、退火；生长氧化层并外延生长Si外延层，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第二纳米线，并生长氧化层蒸镀金属膜，剥离、退火；选择性刻蚀外延生长Si外延层，在第一纳米线和第二纳米线的两端蒸镀金属，经剥离、退火形成欧姆电极。

本发明授权一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种GAAFET氮化镓场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括： 在单晶衬底的表面刻蚀形成中间垂直凸出的纳米线，在纳米线两侧的刻蚀表面生长氧化层使氧化层低于纳米线的高度，并在纳米线表面蒸镀金属膜，经剥离、退火形成栅极； 在栅极表面生长氧化层，在氧化层表面外延生长Si外延层，并刻蚀Si外延层至栅极氧化层的高度，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第一纳米线，在第一纳米线上生长氧化层，并在氧化层表面蒸镀金属膜，经剥离、退火，形成第一漏极； 在第一漏极表面生长氧化层，在氧化层表面外延生长Si外延层，在垂直于纳米线的方向上生长长条形氮化镓，形成第二纳米线，并在第二纳米线上生长氧化层，在氧化层表面蒸镀金属膜，经剥离、退火； 选择性刻蚀在第一漏极表面的氧化层上外延生长Si外延层，以使器件固定第一纳米线和第二纳米线，并在第一纳米线和第二纳米线的两端蒸镀金属，经剥离、退火形成欧姆电极。

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