今上半导体(信阳)有限公司操彬获国家专利权
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龙图腾网获悉今上半导体(信阳)有限公司申请的专利一种半导体无源器件电连接结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN224098141U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423173291.2，技术领域涉及：H10W20/20；该实用新型一种半导体无源器件电连接结构是由操彬;王治邦;李艳明;陈本亮;王建忠;朱志恒;张昆设计研发完成，并于2024-12-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体无源器件电连接结构在说明书摘要公布了：本实用新型适用于半导体技术领域，提供了一种半导体无源器件电连接结构，包括衬底层、对称设置于衬底层上用于形成电容器件的电容部、对称设置于衬底层上用于形成绝缘层的介电层、对称设置于衬底层上用于形成电感器件的电感线圈部以及设置于两个电容部和两个电感线圈部内部用于连接的桥连结构。该装置解决了无源器件电连接结构采用桥连结构连接工艺复杂以及高频传输损耗较大的问题，达到了在简化无源器件电连接结构的基础上，进一步简化桥连结构，采用一个衬底进行制备，降低生产成本的同时减小在高频传输信号下的损耗的效果。
本实用新型一种半导体无源器件电连接结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体无源器件电连接结构，其特征在于：包括衬底层1、对称设置于衬底层1上用于形成电容器件的电容部2、对称设置于衬底层1上用于形成绝缘层的介电层3、对称设置于衬底层1上用于形成电感器件的电感线圈部4以及设置于两个电容部2和两个电感线圈部4内部用于连接的桥连结构5。
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