中国人民解放军战略支援部队信息工程大学刘庆获国家专利权
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龙图腾网获悉中国人民解放军战略支援部队信息工程大学申请的专利一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115832663B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-07发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211501573.3，技术领域涉及：H01P11/00；该发明授权一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器及其设计方法是由刘庆;钱行;周东方;张德伟;刘起坤;王建辉;麻本华设计研发完成，并于2022-11-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器及其设计方法。该设计方法包括：采用立体结构形成顶层谐振器和底层谐振器；确定顶层谐振器和底层谐振器在工作模式下的中心电流位置，以所述中心电流位置为圆心，沿径向刻蚀槽线，使得所述槽线能够沿着工作模式下的电流方向并切割除工作模式之外的其他模式下的电流。
本发明授权一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种小型化高带外抑制的SIW带通滤波器，其特征在于，采用的设计方法包括： 采用立体结构形成顶层谐振器和底层谐振器； 确定顶层谐振器和底层谐振器在工作模式下的中心电流位置，以所述中心电流位置为圆心，沿径向刻蚀槽线，使得所述槽线能够沿着工作模式下的电流方向并切割除工作模式之外的其他模式下的电流； 对应地，所述SIW带通滤波器包括： 依次堆叠分布的顶层金属层、顶层介质基板、第一中间金属层、底层介质基板和底层金属层，在所述顶层金属层和所述顶层介质基板之间形成顶层谐振器，在所述第一中间金属层和所述底层介质基板之间形成有底层谐振器，所述底层金属层为接地板；在所述顶层金属层和所述底层金属层上均各自设置有两个按照设定刻蚀方式所形成的第一槽线；所述设定刻蚀方式是指以顶层谐振器和底层谐振器在工作模式下的中心电流位置为圆心，沿径向刻蚀槽线；所述第一槽线整体呈为“米”字型。
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